|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Les fiches techniques ont trouvé :: 2123 English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
151AS29LV800T-70RSC3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
152AS29LV800T-70RSI3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
153AS29LV800T-70RTC3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
154AS29LV800T-70RTI3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
155AS29LV800T-80SC3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
156AS29LV800T-80SI3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
157AS29LV800T-80TC3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
158AS29LV800T-80TI3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
159AS29LV800T-90SC3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
160AS29LV800T-90SI3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
161AS29LV800T-90TC3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
162AS29LV800T-90TI3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accèsAlliance Semiconductor
163AS29P2005V 256K X 8/128K X 16 CMOS EEPROM instantanéAlliance Semiconductor
164AS4C14400-40JC1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 40nsAlliance Semiconductor
165AS4C14400-40TC1M bits Þ 4 CMOS DRAM en mode page rapide, seule alimentation de 5V, 40nsAlliance Semiconductor
166AS4C14400-50JC1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 50nsAlliance Semiconductor
167AS4C14400-50TC1M bits ÷ 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 50nsAlliance Semiconductor
168AS4C14400-60JC1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 60nsAlliance Semiconductor
169AS4C14400-60TC1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 60nsAlliance Semiconductor
170AS4C14400-70JC1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 70nsAlliance Semiconductor
171AS4C14400-70TC1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 70nsAlliance Semiconductor
172AS4C14405-40JC1M bits ÷ 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 40nsAlliance Semiconductor
173AS4C14405-40TC1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 40nsAlliance Semiconductor
174AS4C14405-50JCÞ 1M bits 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 50nsAlliance Semiconductor
175AS4C14405-50TC1M bits þ 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 50nsAlliance Semiconductor
176AS4C14405-60JC1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 60nsAlliance Semiconductor
177AS4C14405-60TC1M bits × 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 60nsAlliance Semiconductor
178AS4C14405-70JC1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation de 5V, 70nsAlliance Semiconductor



179AS4C14405-70TC1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 70nsAlliance Semiconductor
180AS4C1M16E55V 1M X DRACHME de 16 CMOS (EDO)Alliance Semiconductor
181AS4C1M16F55V 1M X DRACHME de 16 CMOS (mode de rapide-page)Alliance Semiconductor
182AS4C1M16F5-50JC5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
183AS4C1M16F5-50JI5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
184AS4C1M16F5-50TC5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
185AS4C1M16F5-50TI5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
186AS4C1M16F5-60JC5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
187AS4C1M16F5-60JI5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
188AS4C1M16F5-60TC5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
189AS4C1M16F5-60TI5V 1M X DRACHME De 16 CMOSAlliance Semiconductor
190AS4C256K16E05V 256K x DRACHME de CMOS (EDO)Alliance Semiconductor
191AS4C256K16E0-30JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 30ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
192AS4C256K16E0-35JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 35ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
193AS4C256K16E0-50JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
194AS4C256K16E0-50TC5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
195AS4C256K16E0-60JCT (rac): 60 ns; V (cc): 4,5 à 5,5; 256K haute vitesse x 16 CMOS DRAM (EDO)Alliance Semiconductor
196AS4C256K16F0-25JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
197AS4C256K16F0-25JI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
198AS4C256K16F0-25TC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
199AS4C256K16F0-25TI5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor
200AS4C256K16F0-30JC5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 30ns temps d'accès RASAlliance Semiconductor

Page: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/alliancesemiconductor/1/