Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
151 | AS29LV800T-70RSC | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
152 | AS29LV800T-70RSI | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
153 | AS29LV800T-70RTC | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
154 | AS29LV800T-70RTI | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 70ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
155 | AS29LV800T-80SC | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
156 | AS29LV800T-80SI | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
157 | AS29LV800T-80TC | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
158 | AS29LV800T-80TI | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 80ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
159 | AS29LV800T-90SC | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
160 | AS29LV800T-90SI | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
161 | AS29LV800T-90TC | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
162 | AS29LV800T-90TI | 3V 1M x 8 / 512K x 16 CMOS EEPROM flash, 90ns temps d'accès | Alliance Semiconductor |
163 | AS29P200 | 5V 256K X 8/128K X 16 CMOS EEPROM instantané | Alliance Semiconductor |
164 | AS4C14400-40JC | 1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 40ns | Alliance Semiconductor |
165 | AS4C14400-40TC | 1M bits Þ 4 CMOS DRAM en mode page rapide, seule alimentation de 5V, 40ns | Alliance Semiconductor |
166 | AS4C14400-50JC | 1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 50ns | Alliance Semiconductor |
167 | AS4C14400-50TC | 1M bits ÷ 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 50ns | Alliance Semiconductor |
168 | AS4C14400-60JC | 1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 60ns | Alliance Semiconductor |
169 | AS4C14400-60TC | 1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 60ns | Alliance Semiconductor |
170 | AS4C14400-70JC | 1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 70ns | Alliance Semiconductor |
171 | AS4C14400-70TC | 1M bits à 4 CMOS DRAM mode page rapide, seule alimentation de 5V, 70ns | Alliance Semiconductor |
172 | AS4C14405-40JC | 1M bits ÷ 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 40ns | Alliance Semiconductor |
173 | AS4C14405-40TC | 1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 40ns | Alliance Semiconductor |
174 | AS4C14405-50JC | Þ 1M bits 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 50ns | Alliance Semiconductor |
175 | AS4C14405-50TC | 1M bits þ 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 50ns | Alliance Semiconductor |
176 | AS4C14405-60JC | 1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 60ns | Alliance Semiconductor |
177 | AS4C14405-60TC | 1M bits × 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 60ns | Alliance Semiconductor |
178 | AS4C14405-70JC | 1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation de 5V, 70ns | Alliance Semiconductor |
179 | AS4C14405-70TC | 1M bits à 4 CMOS DRAM EDO, seule alimentation 5V, 70ns | Alliance Semiconductor |
180 | AS4C1M16E5 | 5V 1M X DRACHME de 16 CMOS (EDO) | Alliance Semiconductor |
181 | AS4C1M16F5 | 5V 1M X DRACHME de 16 CMOS (mode de rapide-page) | Alliance Semiconductor |
182 | AS4C1M16F5-50JC | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
183 | AS4C1M16F5-50JI | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
184 | AS4C1M16F5-50TC | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
185 | AS4C1M16F5-50TI | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
186 | AS4C1M16F5-60JC | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
187 | AS4C1M16F5-60JI | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
188 | AS4C1M16F5-60TC | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
189 | AS4C1M16F5-60TI | 5V 1M X DRACHME De 16 CMOS | Alliance Semiconductor |
190 | AS4C256K16E0 | 5V 256K x DRACHME de CMOS (EDO) | Alliance Semiconductor |
191 | AS4C256K16E0-30JC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 30ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
192 | AS4C256K16E0-35JC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 35ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
193 | AS4C256K16E0-50JC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
194 | AS4C256K16E0-50TC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (EDO), 50ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
195 | AS4C256K16E0-60JC | T (rac): 60 ns; V (cc): 4,5 à 5,5; 256K haute vitesse x 16 CMOS DRAM (EDO) | Alliance Semiconductor |
196 | AS4C256K16F0-25JC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
197 | AS4C256K16F0-25JI | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
198 | AS4C256K16F0-25TC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
199 | AS4C256K16F0-25TI | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 25ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
200 | AS4C256K16F0-30JC | 5V 256K x 16 CM0S DRAM (mode page rapide), 30ns temps d'accès RAS | Alliance Semiconductor |
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