| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1005041 | PMT3012.0 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005042 | PMT3012.5 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005043 | PMT3013.0 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005044 | PMT3013.5 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005045 | PMT301350 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005046 | PMT301400 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005047 | PMT301500 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005048 | PMT301550 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005049 | PMT301600 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005050 | PMT301800 | Vitesse Élevée, PROTECTEURS de MONTÉE SUBITE À forte intensité | Clare Inc |
| 1005051 | PMT760EN | 100 V N-canal Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005052 | PMV117EN | TrenchMOS(tm) micro a augmenté le FET de niveau de logique | Philips |
| 1005053 | PMV117EN | TrenchMOS(tm) micro a augmenté le FET de niveau de logique | Philips |
| 1005054 | PMV117EN | PMV117EN; les uTrenchMOS (tm) ont augmenté le FET de niveau de logique | Philips |
| 1005055 | PMV117EN | N-canal niveau logique TrenchMOS FET | NXP Semiconductors |
| 1005056 | PMV130ENEA | 40 V, N-canal Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005057 | PMV160UP | 20 V, 1.2 A-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005058 | PMV170UN | 20 V, N-canal Trench MOSFET unique | NXP Semiconductors |
| 1005059 | PMV185XN | 30 V, N-Trench MOSFET canal unique | NXP Semiconductors |
| 1005060 | PMV213SN | FET standard de niveau d'uTrenchMOS(tm) | Philips |
| 1005061 | PMV213SN | TrenchMOS FET à canal N de niveau standard | NXP Semiconductors |
| 1005062 | PMV250EPEA | 40 V, P-MOSFET canal Trench | NXP Semiconductors |
| 1005063 | PMV27UPE | 20 V, P-MOSFET canal Trench | NXP Semiconductors |
| 1005064 | PMV30UN | FET de niveau ultra bas d'uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005065 | PMV30UN | FET de niveau ultra bas d'uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005066 | PMV30UN | PMV30UN; FET de niveau ultra bas d'uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005067 | PMV31XN | FET de niveau extrêmement bas d'uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005068 | PMV31XN | FET de niveau extrêmement bas d'uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005069 | PMV31XN | PMV31XN; FET de niveau extrêmement bas d'uTrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005070 | PMV31XN | TrenchMOS FET à canal N | NXP Semiconductors |
| 1005071 | PMV32UP | 20 V, 4 A à canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005072 | PMV33UPE | 20 V, à canal P Trench MOSFET unique | NXP Semiconductors |
| 1005073 | PMV40UN | FET de niveau ultra bas de TrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005074 | PMV40UN | FET de niveau ultra bas de TrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005075 | PMV40UN | PMV40UN; FET de niveau ultra bas de TrenchMOS (tm) | Philips |
| 1005076 | PMV45EN | le tm d'uTrenchMOS a augmenté le FET de niveau de logique | Philips |
| 1005077 | PMV48XP | 20 V, 3.5 A-canal P Trench MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005078 | PMV48XPA | 20 V, P-MOSFET canal Trench | NXP Semiconductors |
| 1005079 | PMV50UPE | 20 V, à canal P Trench MOSFET unique | NXP Semiconductors |
| 1005080 | PMV56XN | FET de niveau extrêmement bas d'uTrenchmos (tm) | Philips |
| | | |
