| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1005041 | PMT3012.0 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005042 | PMT3012.5 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005043 | PMT3013.0 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005044 | PMT3013.5 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005045 | PMT301350 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005046 | PMT301400 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005047 | PMT301500 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005048 | PMT301550 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005049 | PMT301600 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005050 | PMT301800 | HOCHGESCHWINDIGKEITS, HIGH-CURRENT ÜBERSPANNUNGSABLEITER | Clare Inc |
| 1005051 | PMT760EN | 100 V N-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005052 | PMV117EN | MikrotrenchMOS(tm) erhöhte Logikniveau FET | Philips |
| 1005053 | PMV117EN | MikrotrenchMOS(tm) erhöhte Logikniveau FET | Philips |
| 1005054 | PMV117EN | PMV117EN; uTrenchMOS (tm) erhöhten Logikniveau FET | Philips |
| 1005055 | PMV117EN | N-Kanal-FET TrenchMOS Logikpegel | NXP Semiconductors |
| 1005056 | PMV130ENEA | 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005057 | PMV160UP | 20 V, 1,2 A P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005058 | PMV170UN | 20 V, Single N-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005059 | PMV185XN | 30 V, Single N-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005060 | PMV213SN | uTrenchMOS(tm) Standardniveau FET | Philips |
| 1005061 | PMV213SN | N-Kanal-FET TrenchMOS Standardniveau | NXP Semiconductors |
| 1005062 | PMV250EPEA | 40 V, P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005063 | PMV27UPE | 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005064 | PMV30UN | uTrenchMOS (tm) ultra niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005065 | PMV30UN | uTrenchMOS (tm) ultra niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005066 | PMV30UN | PMV30UN; uTrenchMOS (tm) ultra niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005067 | PMV31XN | uTrenchMOS (tm) extrem niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005068 | PMV31XN | uTrenchMOS (tm) extrem niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005069 | PMV31XN | PMV31XN; uTrenchMOS (tm) extrem niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005070 | PMV31XN | N-Kanal-FET TrenchMOS | NXP Semiconductors |
| 1005071 | PMV32UP | 20 V, 4 A P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005072 | PMV33UPE | 20 V, Single P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005073 | PMV40UN | TrenchMOS (tm) ultra niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005074 | PMV40UN | TrenchMOS (tm) ultra niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005075 | PMV40UN | PMV40UN; TrenchMOS (tm) ultra niedriges Niveau FET | Philips |
| 1005076 | PMV45EN | uTrenchMOS tm erhöhte Logikniveau FET | Philips |
| 1005077 | PMV48XP | 20 V, 3,5 A P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005078 | PMV48XPA | 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005079 | PMV50UPE | 20 V, Single P-Kanal-Trench-MOSFET | NXP Semiconductors |
| 1005080 | PMV56XN | uTrenchmos (tm) extrem niedriges Niveau FET | Philips |
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