Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1021361 | PSMN020-30MLC | N-canal 30 V 18.1 logique mQ MOSFET dans LFPAK33 utilisant la technologie TrenchMOS | NXP Semiconductors |
1021362 | PSMN022-30BL | N-canal 30 V 22,6 logique mQ MOSFET dans D2PAK | NXP Semiconductors |
1021363 | PSMN022-30PL | N-canal 30 V 22 niveau logique mQ MOSFET | NXP Semiconductors |
1021364 | PSMN023-40YLC | N-canal 40 V 23mO niveau logique MOSFET dans LFPAK utilisant la technologie NextPower | NXP Semiconductors |
1021365 | PSMN023-80LS | N-canal DFN3333-8 80 V 23 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021366 | PSMN025-100D | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
1021367 | PSMN025-100D | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021368 | PSMN026-80YS | N-canal LFPAK 80 V 27,5 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021369 | PSMN027-100BS | N-canal 100V 26,8 mQ niveau standard MOSFET dans D2PAK. | NXP Semiconductors |
1021370 | PSMN027-100PS | N-canal 100V 26,8 mQ niveau standard MOSFET dans TO220. | NXP Semiconductors |
1021371 | PSMN027-100XS | N-canal 100V 26,8 mQ niveau standard MOSFET dans TO220F (SOT186A) | NXP Semiconductors |
1021372 | PSMN028-100YS | N-canal LFPAK 100V 27,5 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021373 | PSMN030-150B | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
1021374 | PSMN030-150B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021375 | PSMN030-150P | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
1021376 | PSMN030-150P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021377 | PSMN030-60YS | N-canal LFPAK 60 V 24,7 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021378 | PSMN034-100BS | N-canal 100 V 34,5 mQ niveau standard MOSFET dans D2PAK. | NXP Semiconductors |
1021379 | PSMN034-100PS | N-canal 100 V 34,5 mQ MOSFET de niveau standard dans TO220. | NXP Semiconductors |
1021380 | PSMN035-100LS | N-canal DFN3333-8 100 V 32 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021381 | PSMN035-150B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021382 | PSMN035-150B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021383 | PSMN035-150P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021384 | PSMN035-150P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021385 | PSMN038 | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021386 | PSMN038-100K | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021387 | PSMN038-100K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021388 | PSMN038-100YL | N-canal 100 V niveau de 37,5 logique mQ MOSFET dans LFPAK56 | NXP Semiconductors |
1021389 | PSMN039-100YS | N-canal LFPAK 100 V 39,5 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021390 | PSMN040-100MSE | N-canal 100 V 36,6 mQ MOSFET de niveau standard dans LFPAK33 conçu spécifiquement pour les applications de haute puissance PoE | NXP Semiconductors |
1021391 | PSMN040-200W | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
1021392 | PSMN041-80YL | N-canal 80 V 41 mQ niveau logique MOSFET dans LFPAK56 | NXP Semiconductors |
1021393 | PSMN045-80YS | N-canal LFPAK 80 V 45 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021394 | PSMN050-80BS | N-canal 80 V 46 mQ MOSFET de niveau standard dans D2PAK | NXP Semiconductors |
1021395 | PSMN050-80PS | N-canal 80 V 46 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021396 | PSMN057-200B | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
1021397 | PSMN057-200B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021398 | PSMN057-200P | transistor de TrenchMOS(tm) de N-canal | Philips |
1021399 | PSMN057-200P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021400 | PSMN059-150Y | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
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