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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1021281PSMN004-25Btransistor de TrenchMOS de niveau de logique de N-canalPhilips
1021282PSMN004-25Ptransistor de TrenchMOS de niveau de logique de N-canalPhilips
1021283PSMN004-36Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021284PSMN004-36Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021285PSMN004-55Wtransistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canalPhilips
1021286PSMN004-60Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021287PSMN004-60Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021288PSMN004-60BN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FETNXP Semiconductors
1021289PSMN004-60Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021290PSMN004-60Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021291PSMN005-25Dtransistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canalPhilips
1021292PSMN005-30KFET de niveau de logique de TrenchMOS(tm)Philips
1021293PSMN005-30KN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau logique FETNXP Semiconductors
1021294PSMN005-55Btransistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canalPhilips
1021295PSMN005-55Ptransistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canalPhilips
1021296PSMN005-75Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021297PSMN005-75Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021298PSMN005-75BN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FETNXP Semiconductors
1021299PSMN005-75Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips



1021300PSMN005-75Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021301PSMN005-75PN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FETNXP Semiconductors
1021302PSMN006-20KFET de niveau ultra bas de TrenchMOS(tm)Philips
1021303PSMN006-20KN-canal TrenchMOS SiliconMAX ultra FET faible niveauNXP Semiconductors
1021304PSMN008-75Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021305PSMN008-75BN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FETNXP Semiconductors
1021306PSMN008-75Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021307PSMN009-100Btransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021308PSMN009-100BN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FETNXP Semiconductors
1021309PSMN009-100Ptransistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canalPhilips
1021310PSMN009-100PN-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FETNXP Semiconductors
1021311PSMN009-100WTransistor de TrenchMOSPhilips
1021312PSMN009-100Wtransistor de TrenchMOS de N-canalPhilips
1021313PSMN010-25YLCN-canal 25 V niveau de 10,6 logique mQ MOSFET dans LFPAK utilisant la technologie NextPowerNXP Semiconductors
1021314PSMN010-55Dtransistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canalPhilips
1021315PSMN011-30YLN-canal 10,7 mQ 30 V TrenchMOS niveau logique FET dans LFPAKNXP Semiconductors
1021316PSMN011-30YLCN-canal 30 V 11.6 logique mQ MOSFET dans LFPAK utilisant la technologie NextPowerNXP Semiconductors
1021317PSMN011-60MLN-canal V niveau de 11,3 logique mQ MOSFET 60 LFPAK33NXP Semiconductors
1021318PSMN011-60MSN-canal 60 V 11.3 mQ niveau standard MOSFET dans LFPAK33NXP Semiconductors
1021319PSMN011-80YSN-canal LFPAK 80 V 11 mQ MOSFET de niveau standardNXP Semiconductors
1021320PSMN012-100YSN-canal 100V 12mO niveau standard MOSFET dans LFPAKNXP Semiconductors
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