Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
1021281 | PSMN004-25B | transistor de TrenchMOS de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021282 | PSMN004-25P | transistor de TrenchMOS de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021283 | PSMN004-36B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021284 | PSMN004-36P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021285 | PSMN004-55W | transistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021286 | PSMN004-60B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021287 | PSMN004-60B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021288 | PSMN004-60B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021289 | PSMN004-60P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021290 | PSMN004-60P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021291 | PSMN005-25D | transistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021292 | PSMN005-30K | FET de niveau de logique de TrenchMOS(tm) | Philips |
1021293 | PSMN005-30K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau logique FET | NXP Semiconductors |
1021294 | PSMN005-55B | transistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021295 | PSMN005-55P | transistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021296 | PSMN005-75B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021297 | PSMN005-75B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021298 | PSMN005-75B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021299 | PSMN005-75P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021300 | PSMN005-75P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021301 | PSMN005-75P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021302 | PSMN006-20K | FET de niveau ultra bas de TrenchMOS(tm) | Philips |
1021303 | PSMN006-20K | N-canal TrenchMOS SiliconMAX ultra FET faible niveau | NXP Semiconductors |
1021304 | PSMN008-75B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021305 | PSMN008-75B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021306 | PSMN008-75P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021307 | PSMN009-100B | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021308 | PSMN009-100B | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021309 | PSMN009-100P | transistor d'effet de champ de mode de perfectionnement de N-canal | Philips |
1021310 | PSMN009-100P | N-canal TrenchMOS SiliconMAX niveau standard FET | NXP Semiconductors |
1021311 | PSMN009-100W | Transistor de TrenchMOS | Philips |
1021312 | PSMN009-100W | transistor de TrenchMOS de N-canal | Philips |
1021313 | PSMN010-25YLC | N-canal 25 V niveau de 10,6 logique mQ MOSFET dans LFPAK utilisant la technologie NextPower | NXP Semiconductors |
1021314 | PSMN010-55D | transistor de TrenchMOS(tm) de niveau de logique de N-canal | Philips |
1021315 | PSMN011-30YL | N-canal 10,7 mQ 30 V TrenchMOS niveau logique FET dans LFPAK | NXP Semiconductors |
1021316 | PSMN011-30YLC | N-canal 30 V 11.6 logique mQ MOSFET dans LFPAK utilisant la technologie NextPower | NXP Semiconductors |
1021317 | PSMN011-60ML | N-canal V niveau de 11,3 logique mQ MOSFET 60 LFPAK33 | NXP Semiconductors |
1021318 | PSMN011-60MS | N-canal 60 V 11.3 mQ niveau standard MOSFET dans LFPAK33 | NXP Semiconductors |
1021319 | PSMN011-80YS | N-canal LFPAK 80 V 11 mQ MOSFET de niveau standard | NXP Semiconductors |
1021320 | PSMN012-100YS | N-canal 100V 12mO niveau standard MOSFET dans LFPAK | NXP Semiconductors |
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