| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1162561 | STB20NM60D | Canal N 600V - 0.26Y - 20A - D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162562 | STB20NM60T4 | N-canal 600V - 0,25 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162563 | STB20PF75 | P-canal 75V - 0,10 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A DPAK STripFET™II | ST Microelectronics |
| 1162564 | STB20PF75T4 | P-canal 75V - 0,10 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 20A DPAK STripFET™II | ST Microelectronics |
| 1162565 | STB210NF02 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162566 | STB210NF02 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162567 | STB210NF02-1 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162568 | STB210NF02-1 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162569 | STB210NF02T4 | N-canal 20V - 0,0026 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 120A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET II | ST Microelectronics |
| 1162570 | STB21N65M5 | N-canal 650 V, 0,150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162571 | STB21N90K5 | N-canal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 Un D2PAK Zener protégé SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1162572 | STB21NK50Z | N-canal 500 V - 0,23 Y - 17 A - D2PAK Zener protégé superMESHTM MOSFET | ST Microelectronics |
| 1162573 | STB21NM60ND | N-canal 600 V, 0,17 Ohm, 17 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (de diode rapide de Pentecôte) dans le paquet de D2PAK typ. | ST Microelectronics |
| 1162574 | STB22NE03L | N-canal 30V - 0,034 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À D2PAK STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1162575 | STB22NE03L | N-canal 30V - 0,034 OHMS - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À D2PAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162576 | STB22NE03L | N - la MANCHE 30V - 0,034 Ohms - Transistor MOSFET de PUISSANCE De 2À To-263 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162577 | STB22NM50 | N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162578 | STB22NM50-1 | N-canal 500 V - 0,16 OHMS - 20 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162579 | STB22NM60 | N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162580 | STB22NM60-1 | N-canal 600 V - 0,19 OHMS - 22 Un Transistor MOSFET de PUISSANCE De To-220/fp/d2pak/i2pak MDMESH | ST Microelectronics |
| 1162581 | STB22NM60N | N-canal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162582 | STB22NS25Z | l'cOhm 2À To-220/D2PAK Du N-canal 250V 0,13 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE | ST Microelectronics |
| 1162583 | STB22NS25ZT4 | l'cOhm 2À To-220/D2PAK Du N-canal 250V 0,13 Zener-a protégé le Transistor MOSFET de RECOUVREMENT de MAILLE | ST Microelectronics |
| 1162584 | STB23NM50N | N-canal 500 V, 0,162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh (TM) II MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1162585 | STB23NM60ND | N-canal 600 V, 0,150 Ohm, 19,5 A, FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162586 | STB24N60DM2 | N-canal 600 V, 0,175 Ohm typ., 18 A FDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162587 | STB24N60M2 | N-canal 600 V, 0,168 Ohm typ., 18 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162588 | STB24NF10 | N-canal 100V - 0,055 OHMS - 2Ã To-220/BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II PORTE de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162589 | STB24NF10 | N-canal 100V - 0,07 OHMS - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET de PORTE De 2Â D2PAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162590 | STB24NF10 | N - la MANCHE 100V - 0.07Ohm - BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE De STripFET de CHARGE de PORTE De 2Â To-263 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1162591 | STB24NF10T4 | N-canal 100V - 0,055 OHMS - 2Ã To-220/BAS Transistor MOSFET de PUISSANCE de la CHARGE STRIPFET II PORTE de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162592 | STB24NM60N | N-canal 600 V, 0,168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162593 | STB24NM65N | N-canal 650 V - 0,16 Y - 19 A - A-220 / FP - D2 / I2PAK - TO-247 de deuxième génération MDmesh ™ MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1162594 | STB25N80K5 | N-canal 800 V, 0,19 Ohm typ., 19,5 Un SuperMESH (TM) 5 MOSFET de puissance dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| 1162595 | STB25NM50N | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
| 1162596 | STB25NM50N-1 | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
| 1162597 | STB25NM50NT4 | N-canal 550V @ TjMAX - 0,12 Ohms - 21,5 Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION De A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
| 1162598 | STB25NM60N | Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
| 1162599 | STB25NM60N-1 | Transistor MOSFET De MDmesh de GÉNÉRATION Du N-canal 650 @Tjmax-0.140&-20A To-220/to-220fp/d2pak/i2pak/to-247 DEUXIÈME | ST Microelectronics |
| 1162600 | STB25NM60ND | N-canal 600 V, 0,13 Ohm typ., 21 A FDmesh (TM) II MOSFET de puissance (avec diode rapide) dans le paquet de D2PAK | ST Microelectronics |
| | | |
