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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
1165681STGE50NB60HDN-canal 50A - 600V ISOTOP POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165682STGE50NB60HDN-canal 50A - 600V ISOTOP PowerMESH IGBTSGS Thomson Microelectronics
1165683STGE50NC60VD50 A, IGBT 600 V très rapideST Microelectronics
1165684STGE50NC60WDSérie ultra rapide "W"ST Microelectronics
1165685STGF10H60DFTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série H 600 V, 10 A haute vitesseST Microelectronics
1165686STGF10NB60SDN-canal 600V 10A To-220fp POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165687STGF10NC60HDSérie très rapide "H"ST Microelectronics
1165688STGF10NC60KD6 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
1165689STGF10NC60SD10 A, 600 V, IGBT rapide avec diode ultrarapideST Microelectronics
1165690STGF14NC60KD14 A, 600 V, court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
1165691STGF15H60DFTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série H 600 V, 15 A haute vitesseST Microelectronics
1165692STGF17NC60SD17 A, 600 V, IGBT faible perte avec diode ultrarapideST Microelectronics
1165693STGF19NC60HD19 A, 600 V, IGBT très rapide avec diode ultrarapideST Microelectronics
1165694STGF19NC60KDcourt-circuit IGBT robusteST Microelectronics
1165695STGF20H60DF600 V, 20 A grille en tranchée terrain arrêt IGBT à haute vitesseST Microelectronics
1165696STGF20NB60S1Á De N-canal - 600V To-220fp POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165697STGF30H60DF600 V, 30 A grille en tranchée terrain arrêt IGBT à haute vitesseST Microelectronics
1165698STGF35HF60W12 A, 600 V ultrarapide IGBTST Microelectronics
1165699STGF3NB60FDN-canal Á - 600V To-220/to-220fp/dpak/d2pak POWERMESH IGBTST Microelectronics



1165700STGF3NC120HDN-canal Á - 1200V - To-220fp - POWERMESH RAPIDE IGBT AVEC LA DIODE INTÉGRALE d'cAmortisseurST Microelectronics
1165701STGF6NC60HDSérie très rapide "H"ST Microelectronics
1165702STGF7NB60SLN-canal 7A - 600V - To-220fp POWERMESH IGBTST Microelectronics
1165703STGF7NC60HDN-canal 7A - 600V - To-220fp/d2pak POWERMESH TRÈS RAPIDE IGBTST Microelectronics
1165704STGF7NC60KDLe N-canal 7A - 600V - CIRCUIT COURT De To-220/to-220fp/d2pak A ÉVALUÉ PowerMESH "IGBTST Microelectronics
1165705STGF8NC60KDNouveau court-circuit robuste série "K"ST Microelectronics
1165706STGFW20H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 20 A haute vitesseST Microelectronics
1165707STGFW20V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 20 A très grande vitesseST Microelectronics
1165708STGFW20V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 20 A très grande vitesseST Microelectronics
1165709STGFW30H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 30 A haute vitesseST Microelectronics
1165710STGFW30NC60V40 A, 600 V, IGBT très rapideST Microelectronics
1165711STGFW30V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 30 A très grande vitesseST Microelectronics
1165712STGFW30V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 30 A très grande vitesseST Microelectronics
1165713STGFW35HF60W18 A, 600 V ultrarapide IGBTST Microelectronics
1165714STGFW40H65FBTranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 40 A haute vitesseST Microelectronics
1165715STGFW40V60DFgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesseST Microelectronics
1165716STGFW40V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesseST Microelectronics
1165717STGFW45HF60W23 A, 600 V ultrarapide IGBTST Microelectronics
1165718STGFW80V60Fgrille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 80 A très grande vitesseST Microelectronics
1165719STGIPL14K60SLLIMM (TM) petit faible perte module intelligent IPM moulé, 3-inverseur de phase - 15 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
1165720STGIPL14K60-SSLLIMM (TM) petit faible perte module intelligent IPM moulé, 3-inverseur de phase - 15 A, 600 V court-circuit IGBT robusteST Microelectronics
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