| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1165881 | STGW30NC60W | 30 A - 600 V - IGBT ultra rapide | ST Microelectronics |
| 1165882 | STGW30NC60WD | Série ultra rapide "W" | ST Microelectronics |
| 1165883 | STGW30V60DF | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 30 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
| 1165884 | STGW30V60F | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 30 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
| 1165885 | STGW35HF60W | 35 A, 600 V ultrarapide IGBT | ST Microelectronics |
| 1165886 | STGW35HF60WD | 35 A, 600 V ultrarapide IGBT avec la diode ultrarapide | ST Microelectronics |
| 1165887 | STGW35HF60WDI | 35 A, 600 V ultrarapide IGBT avec la diode de faible chute | ST Microelectronics |
| 1165888 | STGW35NB60SD | Faible perte série "S" | ST Microelectronics |
| 1165889 | STGW35NC120HD | 35 A - 1200 V - IGBT très rapide | ST Microelectronics |
| 1165890 | STGW38IH130D | 33 A - 1300 V - IGBT très rapide | ST Microelectronics |
| 1165891 | STGW39NC60VD | 40 A, 600 V, IGBT très rapide | ST Microelectronics |
| 1165892 | STGW40H120DF2 | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série H 1200 V, 40 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165893 | STGW40H120F2 | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série H 1200 V, 40 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165894 | STGW40H60DLFB | Tranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 600 V, 40 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165895 | STGW40H65DFB | Tranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 40 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165896 | STGW40H65FB | Tranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 40 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165897 | STGW40M120DF3 | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série M 1200 V, 40 A faible perte | ST Microelectronics |
| 1165898 | STGW40N120KD | 40 A, 1 200 V court-circuit IGBT robuste avec diode ultrarapide | ST Microelectronics |
| 1165899 | STGW40NC60KD | 40 A - 600 V - court-circuit IGBT robuste | ST Microelectronics |
| 1165900 | STGW40NC60V | N-canal 40A - 600V To-247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165901 | STGW40V60DF | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
| 1165902 | STGW40V60DLF | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
| 1165903 | STGW40V60F | grille en tranchée IGBT terrain arrêt, série V 600 V, 40 A très grande vitesse | ST Microelectronics |
| 1165904 | STGW45HF60WD | 45 A, 600 V ultrarapide IGBT avec la diode ultrarapide | ST Microelectronics |
| 1165905 | STGW45HF60WDI | 45 A, 600 V ultrarapide IGBT avec la diode de faible chute | ST Microelectronics |
| 1165906 | STGW45NC60VD | 45 A, 600 V, IGBT très rapide | ST Microelectronics |
| 1165907 | STGW45NC60WD | Série ultra rapide "W" | ST Microelectronics |
| 1165908 | STGW50H60DF | 50 A, 600 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode ultrarapide | ST Microelectronics |
| 1165909 | STGW50HF60S | 60 A, 600 V, très faible IGBT de chute | ST Microelectronics |
| 1165910 | STGW50HF60SD | 60 A, 600 V, très faible IGBT de chute avec diode de récupération logicielle et rapide | ST Microelectronics |
| 1165911 | STGW50HF65SD | 60 A, 650 V, très faible IGBT de chute avec diode de récupération logicielle et rapide | ST Microelectronics |
| 1165912 | STGW50NB60H | N-canal 50A - 600V To-247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165913 | STGW50NB60H | N-canal 50A - 600V To-247 PowerMESH IGBT | SGS Thomson Microelectronics |
| 1165914 | STGW50NB60M | N-canal 50A - 600V - To-247 POWERMESH IGBT | ST Microelectronics |
| 1165915 | STGW50NC60W | Série ultra rapide "W" | ST Microelectronics |
| 1165916 | STGW60H60DLFB | Tranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 600 V, 60 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165917 | STGW60H65DF | 60 A, 650 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode très rapide | ST Microelectronics |
| 1165918 | STGW60H65DFB | Tranchée de grille IGBT terrain arrêt, série HB 650 V, 60 A haute vitesse | ST Microelectronics |
| 1165919 | STGW60H65DRF | 60 A, 650 V domaine arrêt tranchée porte IGBT avec la diode ultrarapide | ST Microelectronics |
| 1165920 | STGW60H65F | 60 A, 650 V de portes arrêt de tranchée IGBT | ST Microelectronics |
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