| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1172281 | STK795 | Régulateur De Tension De Type De Découpeur | SANYO |
| 1172282 | STK8250 | PUISSANCE MINIMUM AMPÈRE DE 50CW AF | SANYO |
| 1172283 | STK830F | Transistor MOSFET Avançé De Puissance | AUK Corp |
| 1172284 | STK830FC | Transistor MOSFET Avançé De Puissance | AUK Corp |
| 1172285 | STK85C161 | 2/5 à 3/5 V, le contrôleur de LCD | Syntek Semiconductor |
| 1172286 | STK88C2441 | 2.5-5.5 V, voice controller | Syntek Semiconductor |
| 1172287 | STK88C4050 | 2.5-5.5 V, voice controller | Syntek Semiconductor |
| 1172288 | STK88C4831 | 2.5-3.5 V, voice controller | Syntek Semiconductor |
| 1172289 | STKM2000 | CELLULES STANDARD Analog-digital MÉLANGÉES EN MÉTAL BiCMOS De 2m/2 POLY/2 | ST Microelectronics |
| 1172290 | STKM2000 | CELLULES STANDARD Analog-digital MÉLANGÉES EN MÉTAL BiCMOS De 2m/2 POLY/2 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1172291 | STKM2000-SERIES | 2 MÉTAL BiCMOS, CELLULES STANDARD Analog-digital MÉLANGÉES De m/2 POLY/2 | SGS Thomson Microelectronics |
| 1172292 | STL100N10F7 | N-canal 100 V, 0,0062 Ohm, 19 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) paquet 5x6 typ. | ST Microelectronics |
| 1172293 | STL100N1VH5 | N-canal 12 V, 0,0022 Ohm, 25 A STripFET (TM) V MOSFET de puissance dans PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 typ. | ST Microelectronics |
| 1172294 | STL100N6LF6 | N-canal 60 V, 0,0038 Ohm, 22 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 typ. | ST Microelectronics |
| 1172295 | STL105NS3LLH7 | 30 V, 0,0032 Ohm typ., 27 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) des MOSFET de puissance, plus Schottky monolithique dans un PowerFLAT (TM) 5x6 à canal N | ST Microelectronics |
| 1172296 | STL10DN15F3 | N-canal 150 V, 0,20 Ohm, 2,8 A STripFET (TM) III MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) paquet île typ. De 5x6 à double | ST Microelectronics |
| 1172297 | STL10N3LLH5 | N-canal 30 V, 0,015 Ohm, 9 A, PowerFLAT (TM) 3.3x3.3 STripFET (TM) V MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1172298 | STL10N60M2 | N-canal 600 V, 0,58 Ohm typ., 5,5 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans un (TM) paquet de 5x6 HV PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172299 | STL110N10F7 | N-canal 100 V, 0,0063 Ohm typ., 100 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un paquet de 5x6 de PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172300 | STL110NS3LLH7 | 30 V, 0,0027 Ohm typ., 28 A STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) des MOSFET de puissance, plus Schottky monolithique dans un PowerFLAT (TM) 5x6 à canal N | ST Microelectronics |
| 1172301 | STL11N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,006 Ohm typ., 11 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) 3.3 x 3.3 emballage | ST Microelectronics |
| 1172302 | STL11N4LLF5 | N-canal 40 V, 9,1 mOhm typ., 15 A STripFET (TM) V dans un (TM) paquet 3.3x3.3 PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172303 | STL120N2VH5 | N-canal 20 V, 0,002 Ohm, 28 A STripFET (TM) V MOSFET de puissance dans PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 | ST Microelectronics |
| 1172304 | STL128D | Une haute tension à commutation rapide du transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 1172305 | STL128DN | Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 1172306 | STL128DNFP | Haute tension à commutation rapide transistor de puissance NPN | ST Microelectronics |
| 1172307 | STL12N65M5 | N-canal 650 V, 0,475 Ohm typ., 8,5 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 HV | ST Microelectronics |
| 1172308 | STL12P6F6 | P-canal 60 V, 0,13 Ohm typ., 3 A STripFET F6 MOSFET de puissance dans un paquet de 5x6 de PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172309 | STL130N8F7 | N-canal 80 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 MOSFET de puissance dans un paquet de 5x6 de PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172310 | STL13DP10F6 | 100 V double canal P, 0,136 Ohm typ., 3,3 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) 5x6 île double | ST Microelectronics |
| 1172311 | STL13N60M2 | N-canal 600 V, 0,39 Ohm typ., 7 A MDmesh II Plus (TM) à faible Qg MOSFET de puissance dans un paquet de HV 5x6 de PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172312 | STL13NM60N | N-canal 600 V, 0,320 Ohm, 10 A MDmesh (TM) II MOSFET de puissance dans PowerFLAT (TM) paquet HV typ. 8x8 | ST Microelectronics |
| 1172313 | STL140N4LLF5 | N-canal 40 V, 0,00275 Ohm, 32 A, PowerFLAT (TM) 5x6 STripFET (TM) V MOSFET de puissance | ST Microelectronics |
| 1172314 | STL150N3LLH5 | N-canal 30 V, 0,0014 Ohm, 35 A STripFET (TM) V MOSFET de puissance dans PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 typ. | ST Microelectronics |
| 1172315 | STL150N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0016 Ohm, 33 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) MOSFET de puissance dans PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 typ. | ST Microelectronics |
| 1172316 | STL15DN4F5 | Qualité automobile à double canal N 40 V, 8 mOhm typ., 15 A STripFET F5 MOSFET de puissance dans PowerFLAT 5x6 double emballage de l'île | ST Microelectronics |
| 1172317 | STL15N65M5 | N-canal 650 V, 0,335 Ohm typ., 10 A MDmesh (TM) V MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 HV | ST Microelectronics |
| 1172318 | STL160N3LLH6 | N-canal 30 V, 0,0011 Ohm, 45 A STripFET (TM) H6 MOSFET de puissance dans un PowerFLAT (TM) paquet de 5x6 typ. | ST Microelectronics |
| 1172319 | STL160NS3LLH7 | N-canal 30 V, 0,0016 Ohm typ., 160 A STripFET H7 MOSFET de puissance, plus Schottky monolithique dans un (TM) paquet de 5x6 PowerFLAT | ST Microelectronics |
| 1172320 | STL16N65M5 | N-canal 650 V, 0,27 Ohm typ., 2 A MDmesh (TM) V puissance MOSFET en PowerFLAT (TM) package 8x8 HV | ST Microelectronics |
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