| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 246441 | BARRIER E | Enduit Protecteur | Vishay |
| 246442 | BAS 70-02L | Paquet morceau-classé par Leadless pour des discretes | Infineon |
| 246443 | BAS101 | Diodes de commutation haute tension | NXP Semiconductors |
| 246444 | BAS101S | Diodes de commutation haute tension | NXP Semiconductors |
| 246445 | BAS11 | Redresseurs commandés d'avalanche | Philips |
| 246446 | BAS116 | diode de Bas-fuite | Philips |
| 246447 | BAS116 | Diodes De Commutation | Diodes |
| 246448 | BAS116 | Diodes Tout usage - Basse Diode De Fuite De Silicium | Infineon |
| 246449 | BAS116 | Basse diode de fuite de silicium (la commutation moyenne de vitesse d'applications de Bas-fuite chronomètre la diode simple) | Siemens |
| 246450 | BAS116 | Diode à faible fuite | NXP Semiconductors |
| 246451 | BAS116-7-F | Diodes de commutation | Diodes |
| 246452 | BAS116H | basse diode de fuite de 75 V en petit paquet de SOD123F | Philips |
| 246453 | BAS116H | Diode de commutation bas de fuite | NXP Semiconductors |
| 246454 | BAS116L | Diode De Commutation | ON Semiconductor |
| 246455 | BAS116LP3 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246456 | BAS116LP3-7 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246457 | BAS116LPH4 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246458 | BAS116LPH4-7B | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246459 | BAS116LT1 | Diode De Commutation | Leshan Radio Company |
| 246460 | BAS116LT1 | Diode De Commutation | ON Semiconductor |
| 246461 | BAS116LT1-D | Diode De Commutation | ON Semiconductor |
| 246462 | BAS116T | Diodes De Commutation | Diodes |
| 246463 | BAS116T | Diode à l'unité de commutation à faible courant de fuite | NXP Semiconductors |
| 246464 | BAS116T-7-F | Diodes de commutation | Diodes |
| 246465 | BAS116TT1 | BAS116T diode de commutation | ON Semiconductor |
| 246466 | BAS116UDJ | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246467 | BAS116UDJ-7 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246468 | BAS116V | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246469 | BAS116V-7 | Discrets - Diodes (moins de 0,5) - Diodes de commutation | Diodes |
| 246470 | BAS12 | Redresseurs commandés d'avalanche | Philips |
| 246471 | BAS125 | Diode de Rf Schottky | Infineon |
| 246472 | BAS125 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 246473 | BAS125-04 | Diode de Rf Schottky | Infineon |
| 246474 | BAS125-04 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 246475 | BAS125-04W | Diodes de Schottky - diode de rf Schottky pour low-loss, rapide-rétablissement, protection de mètre... | Infineon |
| 246476 | BAS125-04W | Diode de Rf Schottky | Infineon |
| 246477 | BAS125-04W | Diodes préliminaires de Schottky de silicium de données (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et l'application de retenue) | Siemens |
| 246478 | BAS125-05 | Diode de Rf Schottky | Infineon |
| 246479 | BAS125-05 | Diodes de Schottky de silicium (pour low-loss, le rapide-rétablissement, la protection de mètre, l'isolement polarisé et les applications de retenue) | Siemens |
| 246480 | BAS125-05W | Diodes de Schottky - diode de rf Schottky pour low-loss, rapide-rétablissement, protection de mètre... | Infineon |
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