| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 249161 | BBF2815S | 15V, 20W convertisseur DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249162 | BBF2815SE | 15V, 20W convertisseur DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249163 | BBF2815SH | 15V, 20W convertisseur DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249164 | BBF2815SK | 15V, 20W convertisseur DC-DC | M.S. Kennedy Corp. |
| 249165 | BBP602 | Warikap | Ultra CEMI |
| 249166 | BBP624 | Warikap | Ultra CEMI |
| 249167 | BBS3002 | P-Channel MOSFET de puissance-60V,-100A, 5.8mOhm, TO-263-2L/TO-263 | ON Semiconductor |
| 249168 | BBT3420 | Quad 2.488-3.1875Gbps / Canal Transceiver | Intersil |
| 249169 | BBT3421 | 4 multi-canaux taux CMOS intelligents Reminutage | Intersil |
| 249170 | BBT3821 | Octal Multi-Rate LX4 / CX4 - XAUI Re-Timer | Intersil |
| 249171 | BBY24-BBY27 | Varactors d'accord de silicium (gamme d'accord d'accord de diode de jonction brusque 120 V) | Siemens |
| 249172 | BBY24-S1 | Varactors d'accord de silicium (gamme d'accord d'accord de diode de jonction brusque 120 V) | Siemens |
| 249173 | BBY25-S1 | Varactors d'accord de silicium (gamme d'accord d'accord de diode de jonction brusque 120 V) | Siemens |
| 249174 | BBY26-S1 | Varactors d'accord de silicium (gamme d'accord d'accord de diode de jonction brusque 120 V) | Siemens |
| 249175 | BBY27-S2 | Varactors d'accord de silicium (gamme d'accord d'accord de diode de jonction brusque 120 V) | Siemens |
| 249176 | BBY31 | Diode variable À FRÉQUENCE ULTRA-haute de capacité | Philips |
| 249177 | BBY31 | Diode-Non de varactor de Hyperabrupt recommandée pour de nouvelles conceptions | Zetex Semiconductors |
| 249178 | BBY31 | DIODE VARIABLE PLANAIRE DE CAPACITÉ DE SILICIUM | Zetex Semiconductors |
| 249179 | BBY33BB-2 | Varactor d'accord de silicium (varactor d'accord dans la conception épitaxiale passivée de technologie de MESA) | Siemens |
| 249180 | BBY33DA-2 | Varactor d'accord de silicium (chiffre élevé d'accord d'accord de gamme 25 V de diode de jonction brusque du mérite) | Siemens |
| 249181 | BBY34C | Varactors d'accord de silicium (chaîne d'accord linéaire d'accord de fréquence de diode de jonction de Hyperabrupt 4 ¦ 12 V) | Siemens |
| 249182 | BBY34D | Varactors d'accord de silicium (chaîne d'accord linéaire d'accord de fréquence de diode de jonction de Hyperabrupt 4 ¦ 12 V) | Siemens |
| 249183 | BBY35F | Varactor d'accord de silicium (chaîne d'accord linéaire d'accord de fréquence de diode de jonction de Hyperabrupt 4 ¦ 12 V) | Siemens |
| 249184 | BBY39 | Double diode de capacité variable À FRÉQUENCE ULTRA-haute | Philips |
| 249185 | BBY40 | Diode variable de capacité de VHF | Philips |
| 249186 | BBY40 | Diode-Non de varactor de Hyperabrupt recommandée pour de nouvelles conceptions | Zetex Semiconductors |
| 249187 | BBY40 | DIODE VARIABLE PLANAIRE DE CAPACITÉ DE SILICIUM | Zetex Semiconductors |
| 249188 | BBY40 | diode à capacité variable de type VHF | NXP Semiconductors |
| 249189 | BBY42 | Diode variable de capacité de VHF | Philips |
| 249190 | BBY51 | Varactordiodes - diode d'accord duelle Q de hyperabrupt élevé du silicium | Infineon |
| 249191 | BBY51 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord duelle de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 249192 | BBY51-02L | Diodes pour des applications de la basse tension VCO | Infineon |
| 249193 | BBY51-02W | Varactordiodes - diode d'accord Q de hyperabrupt élevé du silicium | Infineon |
| 249194 | BBY51-02W | Diode d'accord de silicium (inductance d'accord de série de diode de hyperabrupt élevé de Q basse) | Siemens |
| 249195 | BBY51-03W | Varactordiodes - diode d'accord Q de hyperabrupt élevé du silicium | Infineon |
| 249196 | BBY51-03W | Haute Q Hyperabrupt Diode D'Accord Du Silicium | Infineon |
| 249197 | BBY51-03W | Diode d'accord de silicium (diode d'accord de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
| 249198 | BBY51-07 | Silicium Q Élevé Hyperabrupt Tunin Duel... | Infineon |
| 249199 | BBY51-07 | Diode d'accord de silicium (la diode d'accord duelle de hyperabrupt élevé de Q a conçu pour la basse opération d'accord de tension | Siemens |
| 249200 | BBY52 | Diode d'accord de silicium (diode d'accord duelle de hyperabrupt élevé de Q conçue pour la basse opération d'accord de tension) | Siemens |
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