| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 248961 | BB304A | Diode variable de capacité de silicium (pour le morceau monolithique de tuners de FM avec la cathode commune pour le cheminement parfait des deux diodes) | Siemens |
| 248962 | BB304C | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248963 | BB304C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248964 | BB304C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248965 | BB304M | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248966 | BB304M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248967 | BB304M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248968 | BB305C | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248969 | BB305C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248970 | BB305C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248971 | BB305M | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248972 | BB305M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248973 | BB305M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248974 | BB329 | Diodes De Tuner | Honey Technology |
| 248975 | BB329 | Diode Planaire Épitaxiale De Capacité De Silicium | Semtech |
| 248976 | BB3553 | Amplificateurs Très Rapides D'Amortisseur | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248977 | BB3553AM | Amplificateurs Très Rapides D'Amortisseur | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248978 | BB3554 | AMPLIFICATEUR OPÉRATIONNEL À LARGE BANDE DE FST-SETTLING | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248979 | BB3554AM | Bande large Rapide-Arrangeant L'Amplificateur Opérationnel | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248980 | BB3554BM | Bande large Rapide-Arrangeant L'Amplificateur Opérationnel | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248981 | BB3554SM | Bande large Rapide-Arrangeant L'Amplificateur Opérationnel | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248982 | BB36931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248983 | BB36933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248984 | BB369S | Diodes De Tuner | General Semiconductor |
| 248985 | BB37931E | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248986 | BB37933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248987 | BB38931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248988 | BB38933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248989 | BB39931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248990 | BB39933 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248991 | BB402M | Construction en polarisant l'amplificateur de VHF rf d'cIc de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248992 | BB403 | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248993 | BB403M | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc VHF/uhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248994 | BB404 | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248995 | BB404M | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248996 | BB405 | Diode variable À FRÉQUENCE ULTRA-haute de capacité | Philips |
| 248997 | BB405B | Diode variable À FRÉQUENCE ULTRA-haute de capacité | Philips |
| 248998 | BB405M | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248999 | BB40931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 249000 | BB417 | Diode variable À FRÉQUENCE ULTRA-haute de capacité | Philips |
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