| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 248921 | BB1L3N-T/JM | Transistor hybride | NEC |
| 248922 | BB1L3N/JM | Transistor hybride | NEC |
| 248923 | BB200 | Double diode de capacité variable de basse tension | Philips |
| 248924 | BB201 | Double diode de capacité variable de basse tension | Philips |
| 248925 | BB201 | Basse tension à capacité variable à double diode | NXP Semiconductors |
| 248926 | BB202 | Diode variable de basse tension de capacité | Philips |
| 248927 | BB202 | Basse tension diode à capacité variable | NXP Semiconductors |
| 248928 | BB204 | Diodes de capacité variable de VHF doubles | Philips |
| 248929 | BB204B | Diodes de capacité variable de VHF doubles | Philips |
| 248930 | BB204G | Diodes de capacité variable de VHF doubles | Philips |
| 248931 | BB207 | Diode de capacité variable de FM double | Philips |
| 248932 | BB207 | Basse tension à capacité variable à double diode | NXP Semiconductors |
| 248933 | BB208-02 | Diode variable de capacité de basse tension | Philips |
| 248934 | BB208-02 | Bb208-02; Bb208-03; Diode variable de capacité de basse tension | Philips |
| 248935 | BB208-02 | Basse tension diode à capacité variable | NXP Semiconductors |
| 248936 | BB208-03 | Diode variable de capacité de basse tension | Philips |
| 248937 | BB208-03 | Bb208-02; Bb208-03; Diode variable de capacité de basse tension | Philips |
| 248938 | BB208-03 | Basse tension diode à capacité variable | NXP Semiconductors |
| 248939 | BB2110DI | RÉSEAUX DE TERMINATEUR DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248940 | BB212 | Diode de capacité variable de AM double | Philips |
| 248941 | BB215 | Diode variable À FRÉQUENCE ULTRA-haute de capacité | Philips |
| 248942 | BB221 | Diodes De Tuner | Honey Technology |
| 248943 | BB221 | Diode Planaire Épitaxiale De Capacité De Silicium | Semtech |
| 248944 | BB222 | Diodes De Tuner | Honey Technology |
| 248945 | BB222 | Diode Planaire Épitaxiale De Capacité De Silicium | Semtech |
| 248946 | BB25AH | Commutateurs À bouton-poussoir De B | NKK |
| 248947 | BB301 | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248948 | BB301C | Construction en polarisant l'amplificateur de VHF rf d'cIc de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248949 | BB301C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248950 | BB301C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248951 | BB301M | Construction en polarisant l'amplificateur de VHF rf d'cIc de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248952 | BB301M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248953 | BB301M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248954 | BB302C | Construction en polarisant l'amplificateur de VHF rf d'cIc de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248955 | BB302C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248956 | BB302M | Construction en polarisant l'amplificateur de VHF rf d'cIc de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 248957 | BB302M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248958 | BB302M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248959 | BB303C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248960 | BB303M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
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