| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 248921 | BB1L3N-T/JM | Hybrider Transistor | NEC |
| 248922 | BB1L3N/JM | Hybrider Transistor | NEC |
| 248923 | BB200 | Doppeldiode der variablen Schwachstromkapazitanz | Philips |
| 248924 | BB201 | Doppeldiode der variablen Schwachstromkapazitanz | Philips |
| 248925 | BB201 | Niederspannungs-variable Kapazität Doppeldiode | NXP Semiconductors |
| 248926 | BB202 | Variable Kapazitanzschwachstromdiode | Philips |
| 248927 | BB202 | Niederspannungs-Diode mit variabler Kapazität | NXP Semiconductors |
| 248928 | BB204 | VHF Doppeldioden der variablen Kapazitanz | Philips |
| 248929 | BB204B | VHF Doppeldioden der variablen Kapazitanz | Philips |
| 248930 | BB204G | VHF Doppeldioden der variablen Kapazitanz | Philips |
| 248931 | BB207 | FM Doppeldiode der variablen Kapazitanz | Philips |
| 248932 | BB207 | Niederspannung mit variabler Kapazität Doppeldiode | NXP Semiconductors |
| 248933 | BB208-02 | Niederspannung variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248934 | BB208-02 | BB208-02; BB208-03; Niederspannung variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248935 | BB208-02 | Niederspannungs-Diode mit variabler Kapazität | NXP Semiconductors |
| 248936 | BB208-03 | Niederspannung variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248937 | BB208-03 | BB208-02; BB208-03; Niederspannung variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248938 | BB208-03 | Niederspannungs-Diode mit variabler Kapazität | NXP Semiconductors |
| 248939 | BB2110DI | DDR SDRAM ABSCHLUSSWIDERSTAND NETZE. | BI Technologies |
| 248940 | BB212 | Morgens Doppeldiode der variablen Kapazitanz | Philips |
| 248941 | BB215 | UHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248942 | BB221 | Tuner-Dioden | Honey Technology |
| 248943 | BB221 | Silikon-Epitaxial- Planare Kapazitanz-Diode | Semtech |
| 248944 | BB222 | Tuner-Dioden | Honey Technology |
| 248945 | BB222 | Silikon-Epitaxial- Planare Kapazitanz-Diode | Semtech |
| 248946 | BB25AH | B Drucktastenschalter | NKK |
| 248947 | BB301 | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248948 | BB301C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-VHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248949 | BB301C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248950 | BB301C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248951 | BB301M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-VHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248952 | BB301M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248953 | BB301M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248954 | BB302C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-VHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248955 | BB302C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248956 | BB302M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-VHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248957 | BB302M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248958 | BB302M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248959 | BB303C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248960 | BB303M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| | | |
