| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 248961 | BB304A | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für monolithischen Span der FM Tuners mit allgemeiner Kathode für die vollkommene Spurhaltung beider Dioden) | Siemens |
| 248962 | BB304C | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248963 | BB304C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248964 | BB304C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248965 | BB304M | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248966 | BB304M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248967 | BB304M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248968 | BB305C | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248969 | BB305C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248970 | BB305C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248971 | BB305M | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248972 | BB305M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248973 | BB305M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248974 | BB329 | Tuner-Dioden | Honey Technology |
| 248975 | BB329 | Silikon Epitaxial- Planare Kapazitanz-Diode | Semtech |
| 248976 | BB3553 | Sehr Schnelle Puffer-Verstärker | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248977 | BB3553AM | Sehr Schnelle Puffer-Verstärker | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248978 | BB3554 | BREITBANDFST-SETTLING FUNKTIONSFÄHIGER VERSTÄRKER | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248979 | BB3554AM | Wideband, der Funktionsfähigen Verstärker Schnell-Vereinbart | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248980 | BB3554BM | Wideband, der Funktionsfähigen Verstärker Schnell-Vereinbart | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248981 | BB3554SM | Wideband, der Funktionsfähigen Verstärker Schnell-Vereinbart | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248982 | BB36931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248983 | BB36933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248984 | BB369S | Tuner-Dioden | General Semiconductor |
| 248985 | BB37931E | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248986 | BB37933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248987 | BB38931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248988 | BB38933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248989 | BB39931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248990 | BB39933 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 248991 | BB402M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-VHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248992 | BB403 | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248993 | BB403M | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-VHF/UHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248994 | BB404 | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248995 | BB404M | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248996 | BB405 | UHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248997 | BB405B | UHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248998 | BB405M | Bau, wenn Rf Verstärker der Stromkreis MOS FET IS-UHF/VHF beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248999 | BB40931 | DAS GEFORMTE EINPHASIGE ÜBERBRÜCKT 0.8 AMPERE BIS 1.5AMPERE | etc |
| 249000 | BB417 | UHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
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