| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 248961 | BB304A | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la viruta monolítica de los sintonizadores de FM con el cátodo común para seguir perfecto de ambos diodos) | Siemens |
| 248962 | BB304C | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248963 | BB304C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248964 | BB304C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248965 | BB304M | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248966 | BB304M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248967 | BB304M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248968 | BB305C | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248969 | BB305C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248970 | BB305C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248971 | BB305M | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248972 | BB305M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248973 | BB305M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248974 | BB329 | Diodos Del Sintonizador | Honey Technology |
| 248975 | BB329 | Diodo Planar Epitaxial De la Capacitancia Del Silicio | Semtech |
| 248976 | BB3553 | Amplificadores Muy Rápidos Del Almacenador intermediario | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248977 | BB3553AM | Amplificadores Muy Rápidos Del Almacenador intermediario | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248978 | BB3554 | AMPLIFICADOR OPERACIONAL WIDEBAND DE FST-SETTLING | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248979 | BB3554AM | Wideband Ra'pido-Que coloca El Amplificador Operacional | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248980 | BB3554BM | Wideband Ra'pido-Que coloca El Amplificador Operacional | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248981 | BB3554SM | Wideband Ra'pido-Que coloca El Amplificador Operacional | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248982 | BB36931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248983 | BB36933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248984 | BB369S | Diodos Del Sintonizador | General Semiconductor |
| 248985 | BB37931E | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248986 | BB37933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248987 | BB38931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248988 | BB38933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248989 | BB39931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248990 | BB39933 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 248991 | BB402M | Estructura en predisponer el amplificador del VHF RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248992 | BB403 | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248993 | BB403M | Estructura en predisponer el amplificador del IC VHF/UHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248994 | BB404 | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248995 | BB404M | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248996 | BB405 | Diodo variable DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la capacitancia | Philips |
| 248997 | BB405B | Diodo variable DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la capacitancia | Philips |
| 248998 | BB405M | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248999 | BB40931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 249000 | BB417 | Diodo variable DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la capacitancia | Philips |
| | | |
