| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 249001 | BB419 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para los usos de circuito templados VHF) | Siemens |
| 249002 | BB41931 | LA MONOFÁSICO MOLDEADA TIENDE UN PUENTE SOBRE 0.8 AMPERIOS A 1.5 AMPERIOS | etc |
| 249003 | BB439 | Varactordiodes - diodo variable de la capacitancia del silicio para los usos de circuito templados VHF | Infineon |
| 249004 | BB439 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la cifra elevada templada VHF de los usos de circuito del mérito) | Siemens |
| 249005 | BB501 | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249006 | BB501C | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249007 | BB501C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249009 | BB501M | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249010 | BB501M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249012 | BB502 | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249013 | BB502C | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249014 | BB502C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249016 | BB502M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249017 | BB502M | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249019 | BB503 | Estructura en predisponer el amplificador del IC UHF/VHF RF del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249020 | BB503C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249021 | BB503C | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249023 | BB503M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249024 | BB503M | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249026 | BB504C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249028 | BB504M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249032 | BB512 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la gama que templa especificada usos que templa de la 1 ¦ 8 V) | Siemens |
| 249033 | BB515 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para resistencia baja de la serie del cociente grande de la capacitancia de los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y del VHF TV/VTR) | Siemens |
| 249034 | BB535 | Varactordiodes - diodo variable de la capacitancia del silicio para los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y de TV/TR | Infineon |
| 249035 | BB535 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para cociente grande de la capacitancia de los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y de TV/TR, serie baja de la resistencia) | Siemens |
| 249036 | BB535 | Diodo Variable De la Capacitancia Del Silicio | Leshan Radio Company |
| 249037 | BB545 | Varactordiodes - diodo que templa del silicio para los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y del VHF TV | Infineon |
| 249038 | BB545 | Diodo que templa del silicio (para templar cociente grande de la capacitancia de los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y del VHF TV, serie baja de la resistencia) | Siemens |
| 249039 | BB555 | Varactordiodes - diodo que templa del silicio para los sintonizadores DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA de la TV | Infineon |
| 249040 | BB555 | Diodo que templa del silicio (para la inductancia baja de la serie del alto cociente de la capacitancia de los Frecuencia-TV-sintonizadores) | Siemens |
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