| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 249001 | BB419 | Diode variable de capacité de silicium (pour des applications de circuit accordées par VHF) | Siemens |
| 249002 | BB41931 | LE MONOPHASÉ MOULÉ JETTE UN PONT SUR 0.8 AMPÈRES À 1.5 AMPÈRES | etc |
| 249003 | BB439 | Varactordiodes - diode variable de capacité de silicium pour des applications de circuit accordées par VHF | Infineon |
| 249004 | BB439 | Diode variable de capacité de silicium (pour le chiffre élevé accordé par VHF d'applications de circuit du mérite) | Siemens |
| 249005 | BB501 | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249006 | BB501C | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249007 | BB501C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249008 | BB501C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249009 | BB501M | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249010 | BB501M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249011 | BB501M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249012 | BB502 | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249013 | BB502C | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249014 | BB502C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249015 | BB502C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249016 | BB502M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249017 | BB502M | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249018 | BB502M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249019 | BB503 | Construction en polarisant l'amplificateur de l'cIc UHF/vhf rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249020 | BB503C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249021 | BB503C | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249022 | BB503C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249023 | BB503M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249024 | BB503M | Construction en polarisant l'amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc rf de FET de MOS de circuit | Hitachi Semiconductor |
| 249025 | BB503M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249026 | BB504C | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249027 | BB504C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249028 | BB504M | Amplificateur À FRÉQUENCE ULTRA-haute de l'cIc Monolithique Commandé Polarisé Rf | Hitachi Semiconductor |
| 249029 | BB504M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249030 | BB505C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249031 | BB505M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 249032 | BB512 | Diode variable de capacité de silicium (pour chaîne d'accord indiquée par applications d'accord de AM 1 ¦ 8 V) | Siemens |
| 249033 | BB515 | Diode variable de capacité de silicium (résistance de série de grand rapport de capacité pour de fréquence ultra-haute et de VHF TV/vtr tuners basse) | Siemens |
| 249034 | BB535 | Varactordiodes - diode variable de capacité de silicium pour des tuners de fréquence ultra-haute et de TV/tr | Infineon |
| 249035 | BB535 | Diode variable de capacité de silicium (grand rapport de capacité pour de fréquence ultra-haute et de TV/tr tuners, basses séries de résistance) | Siemens |
| 249036 | BB535 | Diode Variable De Capacité De Silicium | Leshan Radio Company |
| 249037 | BB545 | Varactordiodes - diode d'accord de silicium pour des tuners de fréquence ultra-haute et de VHF TV | Infineon |
| 249038 | BB545 | Diode d'accord de silicium (pour grand rapport de capacité accorder de fréquence ultra-haute et de VHF TV tuners, basses séries de résistance) | Siemens |
| 249039 | BB555 | Varactordiodes - diode d'accord de silicium pour les tuners À FRÉQUENCE ULTRA-haute de TV | Infineon |
| 249040 | BB555 | Diode d'accord de silicium (pour inductance de série de rapport élevé de capacité de Fréquence ultra-haute-TV-tuners la basse) | Siemens |
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