| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 248761 | BB-HJ333-C | Naranja suave, montaje en superficie parpadeante lámpara chip LED | Yellow Stone Corp |
| 248762 | BB-HK033-C | Súper amarillo, montaje en superficie parpadeante lámpara chip LED | Yellow Stone Corp |
| 248763 | BB-HW133-C | Verde puro, montaje en superficie parpadeante lámpara chip LED | Yellow Stone Corp |
| 248764 | BB-HX133-C | Hi-ef verde, montaje en superficie parpadeante lámpara chip LED | Yellow Stone Corp |
| 248765 | BB-HY033-C | Montaje en Amarillo, superficie parpadeante lámpara chip LED | Yellow Stone Corp |
| 248766 | BB0502X7R104M16VNT9820 | Conductor Óptico Del Modulador 9.9-11.2Gb/s | TriQuint Semiconductor |
| 248767 | BB1 | Transistor epitaxial del TRANSISTOR de la en-viruta delsilicio COMPUESTO del resistor NPN para la conmutación de la mediadosde-velocidad | NEC |
| 248768 | BB101C | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248769 | BB101C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248770 | BB101C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248771 | BB101M | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248772 | BB101M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248773 | BB101M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248774 | BB102C | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248775 | BB102C | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248776 | BB102M | Estructura en predisponer el amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del RF del IC del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248777 | BB102M | Amplificador DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA del Rf del IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248778 | BB104 | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248779 | BB104B | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248780 | BB104G | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248781 | BB105 | Diodos De Señal Planar Del Silicio | Iskra Semic |
| 248782 | BB105A | Warikap | Ultra CEMI |
| 248783 | BB105A | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248784 | BB105AD | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248785 | BB105B | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248786 | BB105G | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248787 | BB105G | Warikap | Ultra CEMI |
| 248788 | BB105GD | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248789 | BB109 | Pojemno¶ciowa de Dioda (warikap) | Ultra CEMI |
| 248790 | BB1110B | REDES DEL ADAPTADOR DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248791 | BB1110TB | REDES DEL ADAPTADOR DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248792 | BB112 | Diodo Variable De la Capacitancia Del Silicio | Infineon |
| 248793 | BB112 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la gama que templa especificada usos que templa de la 1 ¦ 8,0 V) | Siemens |
| 248794 | BB119 | Diodo variable de la capacitancia | Philips |
| 248795 | BB130 | Diodo variable de la capacitancia de la | Philips |
| 248796 | BB131 | Diodo variable de la capacitancia del VHF | Philips |
| 248797 | BB131 | Capacitancia del diodo variable de VHF | NXP Semiconductors |
| 248798 | BB132 | Diodo variable de la capacitancia del VHF | Philips |
| 248799 | BB132 | Diodo Variable De la Capacitancia del Vhf | Leshan Radio Company |
| 248800 | BB133 | Diodo variable de la capacitancia del VHF | Philips |
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