| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 248761 | BB-HJ333-C | Laranja suave, superfície de montagem de chips LED piscando lâmpada | Yellow Stone Corp |
| 248762 | BB-HK033-C | Super amarelo, montagem de superfície piscando LED chip de lâmpada | Yellow Stone Corp |
| 248763 | BB-HW133-C | Puro verde, superfície de montagem de chips LED piscando lâmpada | Yellow Stone Corp |
| 248764 | BB-HX133-C | Oi-eff verde, superfície de montagem de chips LED piscando lâmpada | Yellow Stone Corp |
| 248765 | BB-HY033-C | Montar Amarelo, superfície piscando LED chip de lâmpada | Yellow Stone Corp |
| 248766 | BB0502X7R104M16VNT9820 | Excitador Ótico Do Modulador 9.9-11.2Gb/s | TriQuint Semiconductor |
| 248767 | BB1 | Transistor epitaxial do silicone COMPOSTO do resistor NPN da em-microplaqueta do TRANSISTOR para o switching da mid-velocidade | NEC |
| 248768 | BB101C | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248769 | BB101C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248770 | BB101C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248771 | BB101M | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248772 | BB101M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248773 | BB101M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248774 | BB102C | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248775 | BB102C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248776 | BB102M | Configuração em inclinar o amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248777 | BB102M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248778 | BB104 | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248779 | BB104B | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248780 | BB104G | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248781 | BB105 | Diodos De Sinal Planar Do Silicone | Iskra Semic |
| 248782 | BB105A | Warikap | Ultra CEMI |
| 248783 | BB105A | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248784 | BB105AD | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248785 | BB105B | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248786 | BB105G | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248787 | BB105G | Warikap | Ultra CEMI |
| 248788 | BB105GD | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248789 | BB109 | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248790 | BB1110B | REDES DO TERMINAL DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248791 | BB1110TB | REDES DO TERMINAL DE DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248792 | BB112 | Diodo Variável Da Capacidade Do Silicone | Infineon |
| 248793 | BB112 | Diodo variável da capacidade do silicone (para a escala ajustando especificada aplicações ajustando 1 do AM. 8.0 V) | Siemens |
| 248794 | BB119 | Diodo variável da capacidade | Philips |
| 248795 | BB130 | Diodo variável da capacidade do AM | Philips |
| 248796 | BB131 | Diodo variável da capacidade do VHF | Philips |
| 248797 | BB131 | Variável VHF capacitância diodo | NXP Semiconductors |
| 248798 | BB132 | Diodo variável da capacidade do VHF | Philips |
| 248799 | BB132 | Diodo Variável Da Capacidade do Vhf | Leshan Radio Company |
| 248800 | BB133 | Diodo variável da capacidade do VHF | Philips |
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