| Nr. | Nome da parte | Descrição | Fabricante |
| 248961 | BB304A | Diodo variável da capacidade do silicone (para a microplaqueta monolítica dos tuners de FM com cátodo comum para seguir perfeito de ambos os diodos) | Siemens |
| 248962 | BB304C | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248963 | BB304C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248964 | BB304C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248965 | BB304M | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248966 | BB304M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248967 | BB304M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248968 | BB305C | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248969 | BB305C | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248970 | BB305C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248971 | BB305M | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248972 | BB305M | Amplificador DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA do Rf do IC Monolítico Controlado Diagonal | Hitachi Semiconductor |
| 248973 | BB305M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248974 | BB329 | Diodos Do Tuner | Honey Technology |
| 248975 | BB329 | Diodo Planar Epitaxial Da Capacidade Do Silicone | Semtech |
| 248976 | BB3553 | Amplificadores Muito Rápidos Do Amortecedor | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248977 | BB3553AM | Amplificadores Muito Rápidos Do Amortecedor | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248978 | BB3554 | AMPLIFICADOR OPERACIONAL WIDEBAND DE FST-SETTLING | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248979 | BB3554AM | Wideband QueEstabelece O Amplificador Operacional | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248980 | BB3554BM | Wideband QueEstabelece O Amplificador Operacional | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248981 | BB3554SM | Wideband QueEstabelece O Amplificador Operacional | MAXIM - Dallas Semiconductor |
| 248982 | BB36931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248983 | BB36933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248984 | BB369S | Diodos Do Tuner | General Semiconductor |
| 248985 | BB37931E | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248986 | BB37933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248987 | BB38931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248988 | BB38933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248989 | BB39931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248990 | BB39933 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 248991 | BB402M | Configuração em inclinar o amplificador do VHF RF do IC do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248992 | BB403 | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248993 | BB403M | Configuração em inclinar o amplificador do IC VHF/UHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248994 | BB404 | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248995 | BB404M | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248996 | BB405 | Diodo variável DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da capacidade | Philips |
| 248997 | BB405B | Diodo variável DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da capacidade | Philips |
| 248998 | BB405M | Configuração em inclinar o amplificador do IC UHF/VHF RF do FET do MOS do circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248999 | BB40931 | A FASE MONOFÁSICA MOLDADA CONSTRÓI UMA PONTE SOBRE 0.8AMPÈRES A 1.5 AMPÈRES | etc |
| 249000 | BB417 | Diodo variável DE FREQUÊNCIA ULTRAELEVADA da capacidade | Philips |
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