| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 252481 | BC857BT-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252482 | BC857BTT1 | Transistor Tout usage | ON Semiconductor |
| 252483 | BC857BTT1-D | Silicium Tout usage Du Transistor PNP | ON Semiconductor |
| 252484 | BC857BV | Transistor tout usage de PNP double | Philips |
| 252485 | BC857BV | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252486 | BC857BV | PNP usage général transistor double | NXP Semiconductors |
| 252487 | BC857BV-7 | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252488 | BC857BW | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252489 | BC857BW | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252490 | BC857BW | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL PNP | ST Microelectronics |
| 252491 | BC857BW | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252492 | BC857BW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
| 252493 | BC857BW | PETIT TRANSISTOR DU SIGNAL PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 252494 | BC857BW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252495 | BC857BW | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252496 | BC857BW | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 252497 | BC857BW | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252498 | BC857BW | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252499 | BC857BW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252500 | BC857BW-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252501 | BC857BW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = -50 V, V PDG = -45V, V EBO = 5V, je C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252502 | BC857BWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252503 | BC857BWT1 | L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252504 | BC857BWT1 | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252505 | BC857C | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252506 | BC857C | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252507 | BC857C | Amplificateur D'Usage universel de PNP | National Semiconductor |
| 252508 | BC857C | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252509 | BC857C | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252510 | BC857C | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 252511 | BC857C | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 252512 | BC857C | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252513 | BC857C | Petit Transistor 310mW De Signal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252514 | BC857C | Petit Bruit Du Transistor PNP De Signal de SMD Bas | Central Semiconductor |
| 252515 | BC857C | Transistors, & de Rf; Af | Vishay |
| 252516 | BC857C | Bâti extérieur PlanarTransistors Silicium-Épitaxial | Diotec Elektronische |
| 252517 | BC857C | Amplificateur D'Usage universel de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252518 | BC857C | PNP transistors à usage général | NXP Semiconductors |
| 252519 | BC857C | 0.250W usage général PNP Transistor SMD. 45V VCEO, 0.100A Ic, 420-800 hFE. BC847C complémentaire | Continental Device India Limited |
| 252520 | BC857C | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
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