| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 252601 | BC858A | Montage 30 V, surface PNP petit transistor de signal | TRANSYS Electronics Limited |
| 252602 | BC858A | Montage 30 V, surface PNP petit transistor de signal | TRSYS |
| 252603 | BC858A(Z) | SOT23 NPN SILICON PLANAR GÉNÉRALES TRANSISTORS DE BUT | Diodes |
| 252604 | BC858A-3J | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252605 | BC858A-3J | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 PNP | Unknow |
| 252606 | BC858A-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252607 | BC858A-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252608 | BC858A-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252609 | BC858AF | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252610 | BC858AL | Transistor Tout usage | ON Semiconductor |
| 252611 | BC858ALT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252612 | BC858ALT1 | L'CAffaire 318-08, DÉNOMMENT 6 SOT-23 (TO-23ãb) | Motorola |
| 252613 | BC858ALT1 | Transistor Tout usage | ON Semiconductor |
| 252614 | BC858ALT1G | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252615 | BC858ALT1G | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252616 | BC858ALT1G | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252617 | BC858ALT1G | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | ON Semiconductor |
| 252618 | BC858AMTF | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Fairchild Semiconductor |
| 252619 | BC858AW | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252620 | BC858AW | Transistors tout usage - paquet SOT323 | Infineon |
| 252621 | BC858AW | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252622 | BC858AW | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252623 | BC858AW | PlanarTransistors montage Si épitaxiale de surface | Diotec Elektronische |
| 252624 | BC858AW | Transistor PNP pour usage général et applications de commutation | Korea Electronics (KEC) |
| 252625 | BC858AW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252626 | BC858AW-7 | TRANSISTOR DE SIGNAL DE BÂTI DE SURFACE DE PNP PETIT | Diodes |
| 252627 | BC858AW-7-F | Transistors bipolaires | Diodes |
| 252628 | BC858AW-G | Petits signaux Transistor, V CBO = -30V, V PDG = -30V, V EBO = 5V, je C = -0.1A | Comchip Technology |
| 252629 | BC858AWT1 | Silicium Tout usage De Transistors(PNP) | Leshan Radio Company |
| 252630 | BC858AWT1 | L'CAffaire 419-02, DÉNOMMENT 3 SOT-323/sc-70 | Motorola |
| 252631 | BC858AWT1 | Transistors Tout usage | ON Semiconductor |
| 252632 | BC858B | Transistors d'usage universel de PNP | Philips |
| 252633 | BC858B | > de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W) | ROHM |
| 252634 | BC858B | TRANSISTORS TOUT USAGE PLANAIRES DE SILICIUM DE SOT23 NPN | Zetex Semiconductors |
| 252635 | BC858B | Transistors Bipolaires | Diodes |
| 252636 | BC858B | Petits Transistors De Signal (PNP) | General Semiconductor |
| 252637 | BC858B | Transistors tout usage - paquet SOT23 | Infineon |
| 252638 | BC858B | Des transistors d'cAf de silicium de PNP pour (des étapes d'entrée d'cAf et tension élevée de saturation de collecteur-émetteur de gain courant d'applications de conducteur basse) | Siemens |
| 252639 | BC858B | Petit Transistor 310mW De Signal de PNP | Micro Commercial Components |
| 252640 | BC858B | Petit Bruit Du Transistor PNP De Signal de SMD Bas | Central Semiconductor |
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