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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
259481BF982Transistor MOSFET DUEL de PORTE De N-canal de SILICIUMUnknow
259482BF982Transistor MOSFET DUEL de PORTE De N-canal de SILICIUMUnknow
259483BF982V (ds): 20 V; I (d): 40 mA; 225MW; silicium à canal N double grille MOS-FETPhilips
259484BF987Triode de Transistor MOSFET De N-Canal De SiliciumInfineon
259485BF987TRIODE de transistor MOSFET de la MANCHE du SILICIUM N (pour les étapes à haute fréquence jusqu'à 300 mégahertz, de préférence dans des possibilités élevées de surcharge d'applications de FM)Siemens
259486BF988Tétrode Duelle De MOS&dash;Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'ÉpuisementVishay
259487BF989transistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259488BF990Atransistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259489BF991transistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259490BF991N-canal double grille MOSFETNXP Semiconductors
259491BF992Transistor MOSFET duel de porte de N-canal de siliciumPhilips
259492BF992N-canal double grille MOSFETNXP Semiconductors
259493BF994transistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259494BF994Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour demandes de VHF/particulièrement d'étapes d'entrée et de mélangeur avec un grand choix d'accord/par exemple dans des tuners de CATV)Siemens
259495BF994Tétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
259496BF994Stransistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259497BF994STétrode Duelle De MOS&dash;Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'ÉpuisementVishay
259498BF994STétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des demandes de VHF, particulièrement d'entrée et d'étapes de mélangeur avec un grand choix d'accord, par exemple dans des tuners de CATV)Siemens
259499BF994SN-canal double grille MOSFETNXP Semiconductors



259500BF994SATétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
259501BF994SBTétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
259502BF995Tétrode Duelle De MOS&dash;Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'ÉpuisementVishay
259503BF995Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des étapes d'entrée et de mélangeur dans des tuners de FM et de VHF TV)Siemens
259504BF995ATétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
259505BF995BTétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
259506BF996Stransistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259507BF996STétrode Duelle De MOS&dash;Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'ÉpuisementVishay
259508BF996STétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (pour des étapes d'entrée dans le chiffre bas de bruit de TV de transconductance élevé À FRÉQUENCE ULTRA-haute de tuners)Siemens
259509BF996SN-canal double grille MOSFETNXP Semiconductors
259510BF996SAN.Channel Conjuguent Tétrode De MOS-Fieldeffect De Porte/Mode D'ÉpuisementVishay
259511BF996SBN.Channel Conjuguent Tétrode De MOS-Fieldeffect De Porte/Mode D'ÉpuisementVishay
259512BF997Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (réseau intégré de suppression contre de fausses oscillations de VHF)Siemens
259513BF997transistor MOSFET à double portail de N-canalPhilips
259514BF998Transistors MOSFET à double portail de N-canal de siliciumPhilips
259515BF998Tétrode Duelle De MOS&dash;Fieldeffect De Porte De N-Canal, Mode D'ÉpuisementVishay
259516BF998Rf-transistor MOSFET - VDS=8v, gfs=24mS, Gps=28dB, F=1dBInfineon
259517BF998Tétrode de transistor MOSFET de la Manche du silicium N (le transistor de Court-canal avec le facteur de qualité élevé de S/c pour l'entrée à faible bruit et gagner-commandée met en scène jusqu'à 1 gigahertz)Siemens
259518BF998N-canal double grille MOSFETNXP Semiconductors
259519BF998ATétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
259520BF998BTétrode Duelle De MOS-Fieldeffect De Porte De N-Canal/Mode D'ÉpuisementVishay
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