|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6855 | 6856 | 6857 | 6858 | 6859 | 6860 | 6861 | 6862 | 6863 | 6864 | 6865 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
274361BUL44FTRANSISTOR de PUISSANCE 2,0 AMPÈRES 700 VOLTS 40 et 100 WATTSON Semiconductor
274362BUL45TRANSISTOR de PUISSANCE 5,0 AMPÈRES 700 VOLTS 35 et 75 WATTSMotorola
274363BUL45SM De Ä 400V De PuissanceON Semiconductor
274364BUL45SM De Ä 400V De PuissanceON Semiconductor
274365BUL45-DSérie À haute tension Du Transistor De Puissance De Silicium de NPN SWITCHMODEON Semiconductor
274366BUL45D2TRANSISTORS DE PUISSANCE 5 AMPÈRES 700 VOLTS 75 WATTSMotorola
274367BUL45D2Transistor De Plastique De Puissance De Silicium de NPNON Semiconductor
274368BUL45D2Transistor De Plastique De Puissance De Silicium de NPNON Semiconductor
274369BUL45D2Transistor De Plastique De Puissance De Silicium de NPNON Semiconductor
274370BUL45D2-DTransistor de puissance bipolaire du gain à grande vitesse et élevé NPN avec la diode intégrée de collecteur-émetteur et réseau efficace intégré d'AntisaturationON Semiconductor
274371BUL45FTRANSISTOR de PUISSANCE 5,0 AMPÈRES 700 VOLTS 35 et 75 WATTSMotorola
274372BUL45FTRANSISTOR de PUISSANCE 5,0 AMPÈRES 700 VOLTS 35 et 75 WATTSON Semiconductor
274373BUL48ADispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3SemeLAB
274374BUL49ATRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274375BUL49DTRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
274376BUL49DTRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
274377BUL49DTRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
274378BUL50ATRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274379BUL510TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics



274380BUL510TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
274381BUL52TRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274382BUL52AFITRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274383BUL52BTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274384BUL52BFITRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274385BUL53ATRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274386BUL53BTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274387BUL53BSMDHAUTE TENSION BASSE DISTRIBUÉE AVANÇÉE DE CONCEPTION, TRANSISTOR DE PUISSANCE À GRANDE VITESSE DE SILICIUM DE NPNSemeLAB
274388BUL54TRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274389BUL54ATRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274390BUL54AFITRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274391BUL54ASMDTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274392BUL54BTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274393BUL54BFITRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274394BUL55ATRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274395BUL55BTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274396BUL56ATRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274397BUL56BTRANSISTOR DE PUISSANCE À HAUTE TENSION DISTRIBUÉ AVANÇÉ DE SILICIUM DE LA GRANDE VITESSE NPN DE CONCEPTION BASSESemeLAB
274398BUL56BSMDNPN JEÛNENT TRANSISTOR DE COMMUTATIONSemeLAB
274399BUL57TRANSISTOR de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNST Microelectronics
274400BUL57TRANSISTORS de PUISSANCE À HAUTE TENSION De la Rapide-commutation NPNSGS Thomson Microelectronics
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 6855 | 6856 | 6857 | 6858 | 6859 | 6860 | 6861 | 6862 | 6863 | 6864 | 6865 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com