| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 274561 | BUP400 | IGBT (avalanche libre de bas vers l'avant de chute de tension de commutation de vitesse bas latch-up courant élevé de queue évaluée) | Siemens |
| 274562 | BUP400-D | IGBT Duopack (IGBT avec Antiparallel... | Infineon |
| 274563 | BUP400D | IGBT avec la diode d'Antiparallel (latch-up courant de basse vers l'avant de chute de tension haute de commutation queue de vitesse basse librement comprenant la diode rapide de libre-roue) | Siemens |
| 274564 | BUP401 | Transistor d'cIgbt | Infineon |
| 274565 | BUP401 | IGBT (avalanche libre de bas vers l'avant de chute de tension de commutation de vitesse bas latch-up courant élevé de queue évaluée) | Siemens |
| 274566 | BUP402 | Transistor d'cIgbt | Infineon |
| 274567 | BUP402 | IGBT (avalanche libre de bas vers l'avant de chute de tension de commutation de vitesse bas latch-up courant élevé de queue évaluée) | Siemens |
| 274568 | BUP403 | Transistor d'cIgbt | Infineon |
| 274569 | BUP403 | IGBT (avalanche libre de bas vers l'avant de chute de tension de commutation de vitesse bas latch-up courant élevé de queue évaluée) | Siemens |
| 274570 | BUP406 | Mocy de du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
| 274571 | BUP407 | Mocy de du¿ej de Tranzystor wysokonapiêciowy | Ultra CEMI |
| 274572 | BUP410 | IGBT (l'avalanche libre de bas vers l'avant de chute de tension de commutation de vitesse bas latch-up courant élevé de queue a évalué | Siemens |
| 274573 | BUP410D | IGBT avec la diode d'Antiparallel (latch-up courant de basse vers l'avant de chute de tension haute de commutation queue de vitesse basse librement comprenant la diode rapide de libre-roue) | Siemens |
| 274574 | BUP49 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274575 | BUP49 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274576 | BUP50A | TRANSISTOR de PUISSANCE ÉLEVÉE TRÈS RAPIDE Multi-épitaxial de COMMUTATION de NPN | SemeLAB |
| 274577 | BUP52 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274578 | BUP52 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274579 | BUP53 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274580 | BUP53 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274581 | BUP54 | TRANSISTOR Multi-épitaxial de NPN | SemeLAB |
| 274582 | BUP56 | TRANSISTOR Multi-épitaxial de NPN | SemeLAB |
| 274583 | BUP602-D | IGBT Duopack (IGBT avec Antiparallel... | Infineon |
| 274584 | BUP602D | IGBT avec la diode d'Antiparallel (latch-up courant de basse vers l'avant de chute de tension haute de commutation queue de vitesse basse librement comprenant la diode rapide de libre-roue) | Siemens |
| 274585 | BUP603-D | IGBT Duopack (IGBT avec Antiparallel... | Infineon |
| 274586 | BUP603D | IGBT avec la diode d'Antiparallel (latch-up courant de basse vers l'avant de chute de tension haute de commutation queue de vitesse basse librement comprenant la diode rapide de libre-roue) | Siemens |
| 274587 | BUP604 | Transistor d'cIgbt | Infineon |
| 274588 | BUP604 | IGBT (avalanche libre de bas vers l'avant de chute de tension de commutation de vitesse bas latch-up courant élevé de queue évaluée) | Siemens |
| 274589 | BUPD1520 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN AVEC LA DIODE INTÉGRÉE | Power Innovations |
| 274590 | BUR20 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274591 | BUR20 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274592 | BUR21 | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3 | SemeLAB |
| 274593 | BUR24 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 274594 | BUR50 | Dispositif Bipolaire de NPN | SemeLAB |
| 274595 | BUR50S | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274596 | BUR50S | Dispositif bipolaire de NPN dans un paquet hermétiquement scellé en métal TO3. | SemeLAB |
| 274597 | BUR51 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | ST Microelectronics |
| 274598 | BUR51 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 274599 | BUR52 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | ST Microelectronics |
| 274600 | BUR52 | HAUT TRANSISTOR DE SILICIUM DU COURANT NPN | SGS Thomson Microelectronics |
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