|   Premičre page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pičce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide ŕ:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 7776 | 7777 | 7778 | 7779 | 7780 | 7781 | 7782 | 7783 | 7784 | 7785 | 7786 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
311201CFD1264AQ2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 180V VCEO, 2.000A Ic, 60-140 hFE. CFB940AQ complémentaireContinental Device India Limited
311202CFD1264P2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 100 - 240 hFE. CFB940P complémentaireContinental Device India Limited
311203CFD1264Q2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 60-140 hFE. CFB940Q complémentaireContinental Device India Limited
311204CFD12752.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 1-10000 hFE. CFB949 complémentaireContinental Device India Limited
311205CFD1275A2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 1-10000 hFE. CFB949A complémentaireContinental Device India Limited
311206CFD1275AP2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 4-10000 hFE. CFB949AP complémentaireContinental Device India Limited
311207CFD1275AQ2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 2000-5000 hFE. CFB949AQ complémentaireContinental Device India Limited
311208CFD1275AR2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 2.000A Ic, 1000-2500 hFE. CFB949AR complémentaireContinental Device India Limited
311209CFD1275P2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 4-10000 hFE. CFB949P complémentaireContinental Device India Limited
311210CFD1275Q2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 2000-5000 hFE. CFB949Q complémentaireContinental Device India Limited
311211CFD1275R2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 2.000A Ic, 1000-2500 hFE. CFB949R complémentaireContinental Device India Limited
311212CFD14992.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 60-200 hFE. CFB1063 complémentaireContinental Device India Limited
311213CFD1499P2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 100 - 200 hFE. CFB1063P complémentaireContinental Device India Limited
311214CFD1499Q2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 60-120 hFE. CFB1063Q complémentaireContinental Device India Limited
311215CFD193330.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 4.000A Ic, 1-10000 hFE.Continental Device India Limited
311216CFD1933A60.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 110V VCEO, 6.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
311217CFD205930.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 40-240 hFE. CFB1367 complémentaireContinental Device India Limited
311218CFD2059O30.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 70-140 hFE. CFB1367O complémentaireContinental Device India Limited



311219CFD2059R30.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 40 - 80 hFE. CFB1367R complémentaireContinental Device India Limited
311220CFD2059Y30.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 5.000A Ic, 120-240 hFE. CFB1367Y complémentaireContinental Device India Limited
311221CFD23742.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 70-250 hFE. CFB1548 complémentaireContinental Device India Limited
311222CFD2374A2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 70-250 hFE. CFB1548A complémentaireContinental Device India Limited
311223CFD2374AP2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 120-250 hFE. CFB1548AP complémentaireContinental Device India Limited
311224CFD2374AQ2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 3.000A Ic, 70-150 hFE. CFB1548AQ complémentaireContinental Device India Limited
311225CFD2374P2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 120-250 hFE. CFB1548P complémentaireContinental Device India Limited
311226CFD2374Q2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 70-150 hFE. CFB1548Q complémentaireContinental Device India Limited
311227CFD23752.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 500-1500 hFE.Continental Device India Limited
311228CFD2375P2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 800-1500 hFE.Continental Device India Limited
311229CFD2375Q2.000W Puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 500-1000 hFE.Continental Device India Limited
311230CFD470Fibre Optique, Photodiode de GOUPILLE, To-18, Objectif En plastiqueClairex Technologies
311231CFD61160.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 110V VCEO, 6.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
311232CFD81165.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 8.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
311233CFE320AFibre Optique, AlGaAs IRED, To-46, Bidon En métalClairex Technologies
311234CFE370Fibre Optique, AlGaAs IRED, To-18, Objectif En plastiqueClairex Technologies
311235CFH120Datasheet PréliminaireInfineon
311236CFH120-06Datasheet PréliminaireInfineon
311237CFH120-08Datasheet PréliminaireInfineon
311238CFH120-10Datasheet PréliminaireInfineon
311239CFH2162-P1800 ŕ 900 MHz, 36 dBm, GaAs FET de puissanceCELERITEK
311240CFH2162-P31,8 ŕ 2 GHz, 36 dBm, GaAs FET de puissanceCELERITEK
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 7776 | 7777 | 7778 | 7779 | 7780 | 7781 | 7782 | 7783 | 7784 | 7785 | 7786 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versione italiana Versăo portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com