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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
316561CM75TF-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
316562CM75TF-12HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316563CM75TF-12HVolts Amperes/600 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316564CM75TF-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316565CM75TF-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316566CM75TF-24HVolts Amperes/1200 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316567CM75TF-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
316568CM75TF-28HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316569CM75TF-28HVolts Amperes/1400 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316570CM75TJ-24FConception Six IGBTMOD¢â De Porte De Fossé 75 Volts Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316571CM75TU-12FModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
316572CM75TU-12FUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316573CM75TU-12FConception Six IGBTMOD¢â De Porte De Fossé 75 Volts Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316574CM75TU-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
316575CM75TU-12HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316576CM75TU-12HSix Volts Amperes/600 d'cIgbtmod 75Powerex Power Semiconductors
316577CM75TU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316578CM75TU-24FUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316579CM75TU-24FConception Six IGBTMOD¢â De Porte De Fossé 75 Volts Amperes/1200Powerex Power Semiconductors



316580CM75TU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316581CM75TU-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316582CM75TU-24HSix Volts Amperes/1200 d'cIgbtmod 75Powerex Power Semiconductors
316583CM75TU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316584CM75TU-34KASix Volts Amperes/1700 d'cIgbtmod 75Powerex Power Semiconductors
316585CM800DU-12HVolts Amperes/600 Duels d'cIgbtmod 800Powerex Power Semiconductors
316586CM800DZ-34HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316587CM800DZ-34HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉEPowerex Power Semiconductors
316588CM800E2Z-66HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316589CM800HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316590CM800HA-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316591CM800HA-24HSeuls Volts Amperes/1200 d'cIgbtmod 800Powerex Power Semiconductors
316592CM800HA-28HSeuls Volts Amperes/1400 d'cIgbtmod 800Powerex Power Semiconductors
316593CM800HA-34HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316594CM800HA-34HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉEPowerex Power Semiconductors
316595CM800HA-50HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316596CM800HA-66HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316597CM800HB-50HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316598CM800HB-50HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉEPowerex Power Semiconductors
316599CM800HB-66HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316600CM800HB-66HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉEPowerex Power Semiconductors
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