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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
316561CM75E3U-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316562CM75E3U-24HVoltios Amperes/1200 Del Interruptor IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316563CM75TF-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316564CM75TF-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316565CM75TF-12HVoltios Amperes/600 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316566CM75TF-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316567CM75TF-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316568CM75TF-24HVoltios Amperes/1200 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316569CM75TF-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
316570CM75TF-28HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316571CM75TF-28HVoltios Amperes/1400 De Six-IGBT IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316572CM75TJ-24FDiseño Seises IGBTMOD¢â De la Puerta Del Foso 75 Voltios Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316573CM75TU-12FMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316574CM75TU-12FUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316575CM75TU-12FDiseño Seises IGBTMOD¢â De la Puerta Del Foso 75 Voltios Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316576CM75TU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316577CM75TU-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316578CM75TU-12HSeis Voltios Amperes/600 de IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316579CM75TU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation



316580CM75TU-24FUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316581CM75TU-24FDiseño Seises IGBTMOD¢â De la Puerta Del Foso 75 Voltios Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316582CM75TU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316583CM75TU-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316584CM75TU-24HSeis Voltios Amperes/1200 de IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316585CM75TU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
316586CM75TU-34KASeis Voltios Amperes/1700 de IGBTMOD 75Powerex Power Semiconductors
316587CM800DU-12HVoltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 800Powerex Power Semiconductors
316588CM800DZ-34HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316589CM800DZ-34HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
316590CM800E2Z-66HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316591CM800HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316592CM800HA-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316593CM800HA-24HSolos Voltios Amperes/1200 de IGBTMOD 800Powerex Power Semiconductors
316594CM800HA-28HSolos Voltios Amperes/1400 de IGBTMOD 800Powerex Power Semiconductors
316595CM800HA-34HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316596CM800HA-34HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
316597CM800HA-50HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316598CM800HA-66HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316599CM800HB-50HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316600CM800HB-50HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
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