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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
316481CM5S1525Ultra-Mini DYAD MoldeadoClare Inc
316482CM5S2025Ultra-Mini DYAD MoldeadoClare Inc
316483CM600DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316484CM600DU-24FVoltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 600Powerex Power Semiconductors
316485CM600DU-24NFUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
316486CM600DU-5FMódulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316487CM600DU-5FVoltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 600Powerex Power Semiconductors
316488CM600DY-12NFUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
316489CM600DY-24AUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
316490CM600DY-34HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316491CM600DY-34HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
316492CM600E2Y-34HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316493CM600E2Y-34HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAPowerex Power Semiconductors
316494CM600HA-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316495CM600HA-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316496CM600HA-12HSolos Voltios Amperes/600 de IGBTMOD 600Powerex Power Semiconductors
316497CM600HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316498CM600HA-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316499CM600HA-24HSolos Voltios Amperes/1200 de IGBTMOD 600Powerex Power Semiconductors



316500CM600HA-28HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316501CM600HA-28HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316502CM600HA-28HSolos Voltios Amperes/1400 de IGBTMOD 600Powerex Power Semiconductors
316503CM600HA-5FMódulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316504CM600HA-5FTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316505CM600HA-5FDiseño Solo IGBTMOD¢â De la Puerta Del Foso 600 Voltios Amperes/250Powerex Power Semiconductors
316506CM600HA24HSolos Voltios Amperes/1200 Del Módulo 600 De la H-Serie de IGBTMODPowerex Power Semiconductors
316507CM600HB-90HMódulos Bipolares Aislados Alto voltaje Del Transistor De la Puerta (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316508CM600HB-90HSolos Voltios Amperes/4500 De IGBTMOD¢â HVIGBT 600Powerex Power Semiconductors
316509CM600HN-5FMódulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316510CM600HU-12FMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316511CM600HU-12FUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316512CM600HU-12FDiseño Solo IGBTMOD¢â De la Puerta Del Foso 600 Voltios Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316513CM600HU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
316514CM600HU-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
316515CM600HU-12HSolos Voltios Amperes/600 de IGBTMOD 600Powerex Power Semiconductors
316516CM600HU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316517CM600HU-24FUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316518CM600HU-24FDiseño Solo IGBTMOD¢â De la Puerta Del Foso 600 Voltios Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316519CM600HU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316520CM600HU-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
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