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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
316481CM600DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316482CM600DU-24FVolts Amperes/1200 Duels d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316483CM600DU-24NFUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
316484CM600DU-5FModules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316485CM600DU-5FVolts Amperes/1200 Duels d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316486CM600DY-12NFUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
316487CM600DY-24AUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉEMitsubishi Electric Corporation
316488CM600DY-34HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316489CM600DY-34HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉEPowerex Power Semiconductors
316490CM600E2Y-34HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316491CM600E2Y-34HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCEÉLEVÉEPowerex Power Semiconductors
316492CM600HA-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
316493CM600HA-12HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316494CM600HA-12HSeuls Volts Amperes/600 d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316495CM600HA-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316496CM600HA-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316497CM600HA-24HSeuls Volts Amperes/1200 d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316498CM600HA-28HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316499CM600HA-28HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation



316500CM600HA-28HSeuls Volts Amperes/1400 d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316501CM600HA-5FModules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316502CM600HA-5FTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316503CM600HA-5FConception IGBTMOD¢â Simple De Porte De Fossé 600 Volts Amperes/250Powerex Power Semiconductors
316504CM600HA24HSeuls Volts Amperes/1200 Du Module 600 De H-Série d'IGBTMODPowerex Power Semiconductors
316505CM600HB-90HModules Bipolaires Du Transistor De Porte Isolés Par Haute tension (HVIGBT)Mitsubishi Electric Corporation
316506CM600HB-90HSeuls Volts Amperes/4500 D'IGBTMOD¢â HVIGBT 600Powerex Power Semiconductors
316507CM600HN-5FModules Bipolaires Intégrés Du Transistor De Porte (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
316508CM600HU-12FModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
316509CM600HU-12FUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316510CM600HU-12FConception IGBTMOD¢â Simple De Porte De Fossé 600 Volts Amperes/600Powerex Power Semiconductors
316511CM600HU-12HModules d'cIgbt: 600VMitsubishi Electric Corporation
316512CM600HU-12HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316513CM600HU-12HSeuls Volts Amperes/600 d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316514CM600HU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316515CM600HU-24FUTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
316516CM600HU-24FConception IGBTMOD¢â Simple De Porte De Fossé 600 Volts Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
316517CM600HU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
316518CM600HU-24HTYPE ISOLÉ PAR UTILISATION DE COMMUTATION DE PUISSANCE ÉLEVÉE DE MODULES D'CIgbtMitsubishi Electric Corporation
316519CM600HU-24HSeuls Volts Amperes/1200 d'cIgbtmod 600Powerex Power Semiconductors
316520CM613616 V Transient Voltage Suppressor avec fusible intégréON Semiconductor
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