| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 358321 | DB153S | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR EXTÉRIEUR Monophasé de BÂTI | DC Components |
| 358322 | DB154 | MONOPHASÉ PONTS REDRESSEURS DE 1,5 AMPÈRES | Formosa MS |
| 358323 | DB154 | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358324 | DB154 | PONT REDRESSEUR monophasé PASSIVÉ PAR VERRE à double rangée de connexions Voltage-50 à 1000 volts | Surge Components |
| 358325 | DB154 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR Monophasé de SILICIUM | DC Components |
| 358326 | DB154G | Pont: Standard | Taiwan Semiconductor |
| 358327 | DB154G | Ponts redresseurs | America Semiconductor |
| 358328 | DB154S | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358329 | DB154S | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR EXTÉRIEUR Monophasé de BÂTI | DC Components |
| 358330 | DB155 | MONOPHASÉ PONTS REDRESSEURS DE 1,5 AMPÈRES | Formosa MS |
| 358331 | DB155 | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358332 | DB155 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR Monophasé de SILICIUM | DC Components |
| 358333 | DB155G | Pont: Standard | Taiwan Semiconductor |
| 358334 | DB155G | Ponts redresseurs | America Semiconductor |
| 358335 | DB155S | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358336 | DB155S | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR EXTÉRIEUR Monophasé de BÂTI | DC Components |
| 358337 | DB156 | MONOPHASÉ PONTS REDRESSEURS DE 1,5 AMPÈRES | Formosa MS |
| 358338 | DB156 | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358339 | DB156 | PONT REDRESSEUR monophasé PASSIVÉ PAR VERRE à double rangée de connexions Voltage-50 à 1000 volts | Surge Components |
| 358340 | DB156 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR Monophasé de SILICIUM | DC Components |
| 358341 | DB156G | Pont: Standard | Taiwan Semiconductor |
| 358342 | DB156G | Ponts redresseurs | America Semiconductor |
| 358343 | DB156S | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358344 | DB156S | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR EXTÉRIEUR Monophasé de BÂTI | DC Components |
| 358345 | DB157 | MONOPHASÉ PONTS REDRESSEURS DE 1,5 AMPÈRES | Formosa MS |
| 358346 | DB157 | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358347 | DB157 | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR Monophasé de SILICIUM | DC Components |
| 358348 | DB157G | Pont: Standard | Taiwan Semiconductor |
| 358349 | DB157G | Ponts redresseurs | America Semiconductor |
| 358350 | DB157S | PONT REDRESSEUR PASSIVÉ PAR VERRE Monophasé de SILICIUM | Rectron Semiconductor |
| 358351 | DB157S | CARACTÉRISTIQUES TECHNIQUES DE PONT REDRESSEUR EXTÉRIEUR Monophasé de BÂTI | DC Components |
| 358352 | DB158 | PONT REDRESSEUR monophasé PASSIVÉ PAR VERRE à double rangée de connexions Voltage-50 à 1000 volts | Surge Components |
| 358353 | DB171-S | IMMERSION 1.0cA ET PONTS REDRESSEURS DE SMD | Leshan Radio Company |
| 358354 | DB21302 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
| 358355 | DB21303 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
| 358356 | DB21320 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
| 358357 | DB21412 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
| 358358 | DB21413 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
| 358359 | DB22304 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
| 358360 | DB22306 | Schottky Barrier Diodes | Panasonic |
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