| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 479961 | HFM102-M | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479962 | HFM103 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479963 | HFM103 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479964 | HFM103-M | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479965 | HFM104 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479966 | HFM104 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479967 | HFM104-M | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479968 | HFM105 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479969 | HFM105 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479970 | HFM105-M | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479971 | HFM106 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479972 | HFM106 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479973 | HFM106-M | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479974 | HFM107 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479975 | HFM107 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479976 | HFM107-M | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479977 | HFM108 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 1,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479978 | HFM201 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479979 | HFM202 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479980 | HFM203 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479981 | HFM204 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479982 | HFM205 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479983 | HFM206 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479984 | HFM207 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479985 | HFM208 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 2,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479986 | HFM301 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479987 | HFM301 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479988 | HFM302 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479989 | HFM302 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479990 | HFM303 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479991 | HFM303 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479992 | HFM304 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479993 | HFM304 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479994 | HFM305 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479995 | HFM305 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479996 | HFM306 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479997 | HFM306 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 479998 | HFM307 | Type ultra rapide de rétablissement | Formosa MS |
| 479999 | HFM307 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
| 480000 | HFM308 | REDRESSEUR de SILICIUM PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR de RENDEMENT ÉLEVÉ de BÂTI (volts de COURANT de CHAÎNE de TENSION 50 à 1000 3,0 ampères) | Rectron Semiconductor |
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