| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 498521 | HM31-30200 | Transformateurs Courants Encapsulés De Sens | BI Technologies |
| 498522 | HM31-30300 | Transformateurs Courants Encapsulés De Sens | BI Technologies |
| 498523 | HM31-31050 | Transformateurs Courants Encapsulés De Sens | BI Technologies |
| 498524 | HM31-31100 | Transformateurs Courants Encapsulés De Sens | BI Technologies |
| 498525 | HM31-31200 | Transformateurs Courants Encapsulés De Sens | BI Technologies |
| 498526 | HM31-31300 | Transformateurs Courants Encapsulés De Sens | BI Technologies |
| 498527 | HM3669 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 498528 | HM3904 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 498529 | HM3906 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 498530 | HM4-6116-2 | 2K x 8 usage général SRAM CMOS | MATRA MHS SA |
| 498531 | HM4-6116-5 | 2K x 8 usage général SRAM CMOS | MATRA MHS SA |
| 498532 | HM4-6116-6 | 2K x 8 usage général SRAM CMOS | MATRA MHS SA |
| 498533 | HM4-6116-9 | 2K x 8 usage général SRAM CMOS | MATRA MHS SA |
| 498534 | HM4-6116B-5 | Très faible puissance 2K x 8 général CMOS à usage SRAM | MATRA MHS SA |
| 498535 | HM4-6116B-9 | Très faible puissance 2K x 8 général CMOS à usage SRAM | MATRA MHS SA |
| 498536 | HM4-6116L-2 | Faible puissance 2K x 8 général CMOS à usage SRAM | MATRA MHS SA |
| 498537 | HM4-6116L-5 | Faible puissance 2K x 8 général CMOS à usage SRAM | MATRA MHS SA |
| 498538 | HM4-6116L-6 | Faible puissance 2K x 8 général CMOS à usage SRAM | MATRA MHS SA |
| 498539 | HM4-6116L-9 | Faible puissance 2K x 8 général CMOS à usage SRAM | MATRA MHS SA |
| 498540 | HM4-6514-B | RAM de 1024 x 4 CMOS | Intersil |
| 498541 | HM4-6516-9 | 2K X RAM de 8 CMOS | Intersil |
| 498542 | HM4-65162-9 | RAM asynchrone de charge statique de 2K X 8 CMOS | Intersil |
| 498543 | HM4-65162B-9 | RAM asynchrone de charge statique de 2K X 8 CMOS | Intersil |
| 498544 | HM4-65162C-9 | RAM asynchrone de charge statique de 2K X 8 CMOS | Intersil |
| 498545 | HM4-65642883 | RAM asynchrone de charge statique de 8K X 8 CMOS | Intersil |
| 498546 | HM4-65642B883 | RAM asynchrone de charge statique de 8K X 8 CMOS | Intersil |
| 498547 | HM4-6617B883 | 2K X PROM de 8 CMOS | Intersil |
| 498548 | HM4-6642-9 | PROM de 512 x 8 CMOS | Intersil |
| 498549 | HM4033 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 498550 | HM42 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 498551 | HM44 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 498552 | HM48416AP | 16384 mot X RAM dynamique de 4 bits | Hitachi Semiconductor |
| 498553 | HM5112805F-6 | la DRACHME d'EDO de 128M (16-Mword x de 8 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498554 | HM5112805FLTD-6 | la DRACHME d'EDO de 128M (16-Mword x de 8 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498555 | HM5112805FTD-6 | la DRACHME d'EDO de 128M (16-Mword x de 8 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498556 | HM5113805F-6 | la DRACHME d'EDO de 128M (16-Mword x de 8 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498557 | HM5113805FLTD-6 | la DRACHME d'EDO de 128M (16-Mword x de 8 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498558 | HM5113805FTD-6 | la DRACHME d'EDO de 128M (16-Mword x de 8 bits) 8k refresh/4k régénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498559 | HM5116100 | la DRACHME de point de gel de 16M (16-Mword x 1-bit) 4krégénèrent | Hitachi Semiconductor |
| 498560 | HM5116100S | la DRACHME de point de gel de 16M (16-Mword x 1-bit) 4krégénèrent | Hitachi Semiconductor |
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