| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 501601 | HN3C16FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 501602 | HN3C16FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501603 | HN3C17F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501604 | HN3C17FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501605 | HN3C18F | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501606 | HN3C18FT | Nouveaux Produits de Rf | TOSHIBA |
| 501607 | HN3C18FU | Transistors D'Hybride de Rf 2-in-1 | TOSHIBA |
| 501608 | HN3C51F | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501609 | HN3C56FU | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501610 | HN3C67FE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501611 | HN3G01 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL De TYPE Du SILICIUM NPN De FET De TYPE De JONCTION De la MANCHE De N | TOSHIBA |
| 501612 | HN3G01J | TRANSISTOR ÉPITAXIAL De TYPE Du SILICIUM NPN De FET De TYPE De JONCTION De la MANCHE De N | TOSHIBA |
| 501613 | HN4400 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Honey Technology |
| 501614 | HN4400 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 501615 | HN4401 | Transistor Épitaxial De Silicium de NPN | Honey Technology |
| 501616 | HN4401 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE NPN EXPITAXIAL | Semtech |
| 501617 | HN4402 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Honey Technology |
| 501618 | HN4402 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP EXPITAXIAL | Semtech |
| 501619 | HN4403 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP | Honey Technology |
| 501620 | HN4403 | TRANSISTOR DE SILICIUM DE PNP EXPITAXIAL | Semtech |
| 501621 | HN462716 | 2048 mot X 8 effaçables de bit et EPROM UV | Hitachi Semiconductor |
| 501622 | HN462716G | SEULEMENT MÉMOIRE EFFAÇABLE 8-BIT de 2048-2048-WORD X ETÉLECTRIQUEMENT PROGRAMMABLE UV | Hitachi Semiconductor |
| 501623 | HN462732 | 4096 mot X 8 effaçables de bit et EPROM UV | Hitachi Semiconductor |
| 501624 | HN48016 | De WORD X 8 Du BIT 2048 ROM EFFAÇABLE ET PROGRAMMABLEÉLECTRIQUEMENT | Hitachi Semiconductor |
| 501625 | HN48016P | De WORD X 8 Du BIT 2048 ROM EFFAÇABLE ET PROGRAMMABLEÉLECTRIQUEMENT | Hitachi Semiconductor |
| 501626 | HN4827128 | Seulement mémoire lue effaçable du 16384-Mot X et programmable UV de8 bits | Hitachi Semiconductor |
| 501627 | HN4A06J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501628 | HN4A08J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501629 | HN4A51J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501630 | HN4A56JU | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501631 | HN4B01JE | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501632 | HN4B04J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501633 | HN4B06J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501634 | HN4B101J | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 501635 | HN4B102J | Transistor de puissance pour des applications de commutation à grande vitesse | TOSHIBA |
| 501636 | HN4C05JU | Multi demandes tout usage discrètes d'amplificateur de fréquence sonore de dispositif de morceau d'applications assourdissantes et de changements | TOSHIBA |
| 501637 | HN4C06J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501638 | HN4C51J | Transistor pour les basses fréquences petite amplification du signal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501639 | HN4D01JU | Diode de commutation | TOSHIBA |
| 501640 | HN4D02JU | Diode de commutation | TOSHIBA |
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