| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 54641 | 3DF0Q27 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54642 | 3DF0Q33 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54643 | 3DF0Q39 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54644 | 3DF0Q47 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54645 | 3DF0Q56 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54646 | 3DF0Q68 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54647 | 3DF0Q82 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54648 | 3DF0T10 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54649 | 3DF0T12 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54650 | 3DF0T15 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54651 | 3DF0T18 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54652 | 3DF0T22 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54653 | 3DF0T27 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54654 | 3DF0T33 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54655 | 3DF0T39 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54656 | 3DF0T47 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54657 | 3DF0T56 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54658 | 3DF0T68 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54659 | 3DF0T82 | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54660 | 3DFO | Bas Condensateurs De Disque De Facteur De Dissipation | Vishay |
| 54661 | 3DL41 | TYPE ÉPITAXIAL DE JONCTION (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 54662 | 3DL41A | TYPE ÉPITAXIAL DE JONCTION (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 54663 | 3DNOW | 3DNOW! Manuel De Technologie | Advanced Micro Devices |
| 54664 | 3DNOW AND MMX | Prolongements d'cAmd au 3DNow! et MMX ensembles d'instruction manuels | Advanced Micro Devices |
| 54665 | 3DS16-325 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 54666 | 3DS16-325SC-15 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 54667 | 3DS16-325SC-20 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 54668 | 3DS16-325SI-15 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 54669 | 3DS16-325SI-20 | 512K X 32 opération statique à grande vitesse du bit CMOS RAM-5.0V | 3D PLUS |
| 54670 | 3DSD1280-323H | 1.28 DRACHME synchrone de GBit - paquet hermétique | 3D PLUS |
| 54671 | 3DSD1280-883D-S | 1.28 DRACHME synchrone de GBit - paquet hermétique | 3D PLUS |
| 54672 | 3DSD1280-PROTO | 1.28 DRACHME synchrone de GBit - paquet hermétique | 3D PLUS |
| 54673 | 3DU41 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM (APPLICATIONS D'CAlimentation D'CÉnergie DE TYPE DE COMMUTATION) | TOSHIBA |
| 54674 | 3DZ41 | TYPE DIFFUS PAR SILICIUM (APPLICATIONS TOUT USAGE DE RECTFIER) | TOSHIBA |
| 54675 | 3EZ | DIODES ZENER DE SILICIUM | EIC discrete Semiconductors |
| 54676 | 3EZ1 | Silicium-Puissance-Z-Diodes (technologie non-planaire) | Diotec Elektronische |
| 54677 | 3EZ10 | Silicium-Puissance-Z-Diodes (technologie non-planaire) | Diotec Elektronische |
| 54678 | 3EZ100 | SILICIUM ZENER volts de puissance de Diodes(voltage- 11 à 200 de JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE - 3,0 watts) | Panjit International Inc |
| 54679 | 3EZ100 | Silicium-Puissance-Z-Diodes (technologie non-planaire) | Diotec Elektronische |
| 54680 | 3EZ100 | DIODE ZENER DE SILICIUM DE JONCTION PASSIVÉE PAR VERRE | TRSYS |
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