| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 569241 | IRFC350 | Série Élevée De Rugosité De Mode De Perfectionnement De N-Canal | IXYS Corporation |
| 569242 | IRFC350 | Série Élevée De Rugosité De Mode De Perfectionnement De N-Canal | IXYS Corporation |
| 569243 | IRFC450 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 569244 | IRFC450 | MATRICE À HAUTE TENSION DE TRANSISTOR MOSFET DE PUISSANCE | IXYS Corporation |
| 569245 | IRFD014 | 60V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569246 | IRFD020 | Transistor De Mode De Perfectionnement De la Manche De N | Vishay |
| 569247 | IRFD024 | 60V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569248 | IRFD110 | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569249 | IRFD110 | 1A, 100V, 0,600 Ohm, N-Channel MOSFET de puissance | Intersil |
| 569250 | IRFD112 | MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. | General Electric Solid State |
| 569251 | IRFD113 | MOSFET de puissance à transistor de puissance à effet de champ. | General Electric Solid State |
| 569252 | IRFD120 | 100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569253 | IRFD120 | Transistor MOSFET De Puissance De 1.Á/100V/0,300 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 569254 | IRFD1Z0 | ohms de 0.4A et de 0.5A, de 60V et de 100V, 2.4 et 3.2, transistors MOSFET de puissance de N-Canal | Intersil |
| 569255 | IRFD1Z0 | ohms de 0.4A et de 0.5A, de 60V et de 100V, 2.4 et 3.2, transistors MOSFET de puissance de N-Canal | Intersil |
| 569256 | IRFD1Z1 | ohms de 0.4A et de 0.5A, de 60V et de 100V, 2.4 et 3.2, transistors MOSFET de puissance de N-Canal | Intersil |
| 569257 | IRFD1Z1 | ohms de 0.4A et de 0.5A, de 60V et de 100V, 2.4 et 3.2, transistors MOSFET de puissance de N-Canal | Intersil |
| 569258 | IRFD1Z2 | 0. et 0.Ä/60V et 100V/transistors MOSFET de puissance 2,4 et 3,2 ohms/N-Canal | Intersil |
| 569259 | IRFD1Z3 | 0. et 0.Ä/60V et 100V/transistors MOSFET de puissance 2,4 et 3,2 ohms/N-Canal | Intersil |
| 569260 | IRFD210 | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569261 | IRFD210 | Transistor MOSFET De Puissance De 0.Ã/200V/1,500 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 569262 | IRFD213 | (IRFD210 - Transistors MOSFET De Puissance De la Manche d'cIrfd213) N | Harris Semiconductor |
| 569263 | IRFD213 | (IRFD210) Transistor à effet de champ de TMOS Pachage Intégré Duel | Motorola |
| 569264 | IRFD213 | (IRFD210) Transistors De Mode De Perfectionnement De la Manche De N | Vishay |
| 569265 | IRFD214 | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569266 | IRFD220 | 200V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569267 | IRFD220 | Transistor MOSFET De Puissance De 0.Å/200V/0,800 Ohms/N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 569268 | IRFD220 | Transistor MOSFET De Puissance De 0.Å/200V/0,800 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 569269 | IRFD224 | 250V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569270 | IRFD310 | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569271 | IRFD310 | Transistor MOSFET De Puissance De 0.Â/400V/3,600 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 569272 | IRFD320 | 400V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569273 | IRFD320 | Transistor MOSFET De Puissance De 0.Ä/400V/1,800 Ohms/N-Canal | Intersil |
| 569274 | IRFD420 | 500V choisissent le transistor MOSFET de puissance du N-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569275 | IRFD9014 | -60V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569276 | IRFD9020 | La MANCHE HEXDIP Des TRANSISTORS P De HEXFET | International Rectifier |
| 569277 | IRFD9022 | La MANCHE HEXDIP Des TRANSISTORS P De HEXFET | International Rectifier |
| 569278 | IRFD9024 | -60V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569279 | IRFD9110 | -100V choisissent le transistor MOSFET de puissance du P-Canal HEXFET dans un paquet de HEXDIP | International Rectifier |
| 569280 | IRFD9110 | Transistor MOSFET De Puissance De 0.7A/100V/1,200 Ohms/P-Canal | Fairchild Semiconductor |
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