| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 569241 | IRFC350 | Serie La Aspereza Del Modo Del Realce Del N-Canal Alta | IXYS Corporation |
| 569242 | IRFC350 | Serie La Aspereza Del Modo Del Realce Del N-Canal Alta | IXYS Corporation |
| 569243 | IRFC450 | DADO DE ALTO VOLTAJE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA | IXYS Corporation |
| 569244 | IRFC450 | DADO DE ALTO VOLTAJE DEL MOSFET DE LA ENERGÍA | IXYS Corporation |
| 569245 | IRFD014 | 60V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569246 | IRFD020 | Transistor Del Modo Del Realce Del Canal De N | Vishay |
| 569247 | IRFD024 | 60V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569248 | IRFD110 | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569249 | IRFD110 | 1A, 100V, 0,600 Ohmios, N-Canal de alimentación MOSFET | Intersil |
| 569250 | IRFD112 | MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. | General Electric Solid State |
| 569251 | IRFD113 | MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. | General Electric Solid State |
| 569252 | IRFD120 | 100V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569253 | IRFD120 | Mosfet De la Energía De 1.Á/De 100V/0,300 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569254 | IRFD1Z0 | ohmios de 0.4A y de 0.5A, de 60V y de 100V, 2.4 y 3.2, mOSFETs de la energía del N-Canal | Intersil |
| 569255 | IRFD1Z0 | ohmios de 0.4A y de 0.5A, de 60V y de 100V, 2.4 y 3.2, mOSFETs de la energía del N-Canal | Intersil |
| 569256 | IRFD1Z1 | ohmios de 0.4A y de 0.5A, de 60V y de 100V, 2.4 y 3.2, mOSFETs de la energía del N-Canal | Intersil |
| 569257 | IRFD1Z1 | ohmios de 0.4A y de 0.5A, de 60V y de 100V, 2.4 y 3.2, mOSFETs de la energía del N-Canal | Intersil |
| 569258 | IRFD1Z2 | 0. y 0.Ä/60V y 100V/mOSFETs de la energía de 2,4 y 3,2 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569259 | IRFD1Z3 | 0. y 0.Ä/60V y 100V/mOSFETs de la energía de 2,4 y 3,2 ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569260 | IRFD210 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569261 | IRFD210 | Mosfet De la Energía De 0.Ã/De 200V/1,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569262 | IRFD213 | (IRFD210 - MOSFETs De la Energía Del Canal de IRFD213) N | Harris Semiconductor |
| 569263 | IRFD213 | (IRFD210) Transistor De Efecto De Campo de TMOS Pachage En línea Dual | Motorola |
| 569264 | IRFD213 | (IRFD210) Transistores Del Modo Del Realce Del Canal De N | Vishay |
| 569265 | IRFD214 | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569266 | IRFD220 | 200V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569267 | IRFD220 | Mosfet De la Energía De 0.Å/De 200V/0,800 Ohmios/N-Canal | Fairchild Semiconductor |
| 569268 | IRFD220 | Mosfet De la Energía De 0.Å/De 200V/0,800 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569269 | IRFD224 | 250V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569270 | IRFD310 | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569271 | IRFD310 | Mosfet De la Energía De 0.Â/De 400V/3,600 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569272 | IRFD320 | 400V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569273 | IRFD320 | Mosfet De la Energía De 0.Ä/De 400V/1,800 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569274 | IRFD420 | 500V escogen el MOSFET de la energía del N-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569275 | IRFD9014 | -60V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569276 | IRFD9020 | CANAL HEXDIP De los TRANSISTORES P De HEXFET | International Rectifier |
| 569277 | IRFD9022 | CANAL HEXDIP De los TRANSISTORES P De HEXFET | International Rectifier |
| 569278 | IRFD9024 | -60V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569279 | IRFD9110 | -100V escogen el MOSFET de la energía del P-Canal HEXFET en un paquete de HEXDIP | International Rectifier |
| 569280 | IRFD9110 | Mosfet De la Energía De 0.7A/De 100V/1,200 Ohmios/P-Canal | Fairchild Semiconductor |
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