| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 569321 | IRFF113 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 3.0A actual. | General Electric Solid State |
| 569322 | IRFF113 | N-canal de compuerta de silicio-modo de mejora TMOS de pequeña señal del transistor de efecto de campo. | Motorola |
| 569323 | IRFF120 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569324 | IRFF120 | Mosfet De la Energía De 6.0A/De 100V/0,300 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569325 | IRFF120 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Drenaje continuo 6.0a actual. | General Electric Solid State |
| 569326 | IRFF121 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 50V de tensión. Drenaje continuo 6.0a actual. | General Electric Solid State |
| 569327 | IRFF122 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Drenaje continuo 5,0 A de corriente. | General Electric Solid State |
| 569328 | IRFF123 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Drenaje continuo 5,0 A de corriente. | General Electric Solid State |
| 569329 | IRFF130 | 100V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569330 | IRFF130 | Mosfet De la Energía De 8.0A/De 100V/0,180 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569331 | IRFF130 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Continua de drenaje 8.0A actual. | General Electric Solid State |
| 569332 | IRFF131 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Continua de drenaje 8.0A actual. | General Electric Solid State |
| 569333 | IRFF132 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 100V de tensión. Drenaje continuo 7.0a actual. | General Electric Solid State |
| 569334 | IRFF133 | N-canal de energía en modo de enriquecimiento de efecto de campo transistor. Drenaje-sourge 60V de tensión. Drenaje continuo 7.0a actual. | General Electric Solid State |
| 569335 | IRFF210 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569336 | IRFF210 | Mosfet De la Energía De 2.À/De 200V/1,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569337 | IRFF220 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569338 | IRFF220 | Mosfet De la Energía De 3.Ä/De 200V/0,800 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569339 | IRFF230 | 200V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569340 | IRFF230 | Mosfet De la Energía De 5.Ä/De 200V/0,400 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569341 | IRFF310 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569342 | IRFF310 | Mosfet De la Energía De 1.3Ä/De 400V/3,600 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569343 | IRFF310 | MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 400 V. | General Electric Solid State |
| 569344 | IRFF311 | MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 350 V. | General Electric Solid State |
| 569345 | IRFF312 | MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 400 V. | General Electric Solid State |
| 569346 | IRFF313 | MOSFET de potencia del transistor de efecto de campo de energía. Tensión drenaje-fuente 350 V. | General Electric Solid State |
| 569347 | IRFF320 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569348 | IRFF320 | Mosfet De la Energía De 2.Ä/De 400V/1,800 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569349 | IRFF330 | 400V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569350 | IRFF330 | Mosfet De la Energía De 3.Ä/De 400V/1,000 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569351 | IRFF420 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569352 | IRFF420 | Mosfet de la ENERGÍA Del N-canal | SemeLAB |
| 569353 | IRFF420 | Mosfet De la Energía De 1.Ã/De 500V/3,000 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569354 | IRFF430 | 500V escogen el MOSFET del N-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569355 | IRFF430 | Mosfet De la Energía De 2.7Ä/De 500V/1,500 Ohmios/N-Canal | Intersil |
| 569356 | IRFF9024 | -60V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569357 | IRFF9110 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569358 | IRFF9120 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
| 569359 | IRFF9120 | Mosfet De la Energía De Â/100V/0,60 Ohmios/P-Canal | Intersil |
| 569360 | IRFF9130 | -100V escogen el MOSFET del P-Canal hi-Rel-Rel en un paquete de To-20äf | International Rectifier |
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