|   Première page   |   Tous les fabricants   |   Par fonction   |  

Le numéro de la pièce, la description ou le fabricant des:
Saut rapide à:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 15255 | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | >>
Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
610361KM416C1004CJ-L55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610362KM416C1004CJ-L65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610363KM416C1004CJL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610364KM416C1004CJL-51m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610365KM416C1004CJL-61m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610366KM416C1004CT-455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610367KM416C1004CT-55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610368KM416C1004CT-65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610369KM416C1004CT-L455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610370KM416C1004CT-L55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610371KM416C1004CT-L65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610372KM416C1004CTL-451m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 45ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610373KM416C1004CTL-51m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 50ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610374KM416C1004CTL-61m x 16Bit CMOS RAM dynamique avec des données sur de longues, 60ns, VCC = 5.0V, auto-rafraîchissementSamsung Electronic
610375KM416C1200BRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610376KM416C1200BJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610377KM416C1200BJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610378KM416C1200BJ-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic



610379KM416C1200BJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610380KM416C1200BJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610381KM416C1200BJL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
610382KM416C1200BT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610383KM416C1200BT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610384KM416C1200BT-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
610385KM416C1200BTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610386KM416C1200BTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610387KM416C1200BTL-71m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 70nsSamsung Electronic
610388KM416C1200CRAM dynamique du 1M X 16Bit CMOS avec le mode rapide de pageSamsung Electronic
610389KM416C1200CJ-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610390KM416C1200CJ-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610391KM416C1200CJL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610392KM416C1200CJL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610393KM416C1200CT-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610394KM416C1200CT-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610395KM416C1200CTL-51m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 50nsSamsung Electronic
610396KM416C1200CTL-61m x RAM dynamique 16 bits CMOS avec mode page rapide, 5V, 60nsSamsung Electronic
610397KM416C1204BJ-455V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 45nsSamsung Electronic
610398KM416C1204BJ-55V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 50 ns,Samsung Electronic
610399KM416C1204BJ-65V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur, 60nsSamsung Electronic
610400KM416C1204BJ-75V, 1m x 16 bits CMOS DRAM avec les données étendues sur 70 ns,Samsung Electronic
Feuilles de datas trouvées :: 1351360Page: << | 15255 | 15256 | 15257 | 15258 | 15259 | 15260 | 15261 | 15262 | 15263 | 15264 | 15265 | >>
English Version for this page Deutsche Version für diese Seite Versión española para esta página Versione italiana Versão portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com