| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 63121 | 2SK416 | PUISSANCE ÉLEVÉE de SPPED COMMUTANT la paire complémentaire avec 2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63122 | 2SK416 | PUISSANCE ÉLEVÉE de SPPED COMMUTANT la paire complémentaire avec 2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63123 | 2SK416L | PUISSANCE ÉLEVÉE de SPPED COMMUTANT la paire complémentaire avec 2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63124 | 2SK416L | PUISSANCE ÉLEVÉE de SPPED COMMUTANT la paire complémentaire avec 2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63125 | 2SK416S | PUISSANCE ÉLEVÉE de SPPED COMMUTANT la paire complémentaire avec 2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63126 | 2SK416S | PUISSANCE ÉLEVÉE de SPPED COMMUTANT la paire complémentaire avec 2SJ120L, 2sj120s | Hitachi Semiconductor |
| 63127 | 2SK417 | 2SK417 | TOSHIBA |
| 63128 | 2SK417 | 2SK417 | TOSHIBA |
| 63129 | 2SK4171 | MOSFET de puissance 60 V, 100 A, 7.2 mOhm Single N-Canal | ON Semiconductor |
| 63130 | 2SK4174 | Silicon N-channel enhancement MOS FET | Panasonic |
| 63131 | 2SK4206 | Silicon N-FET canal | Panasonic |
| 63132 | 2SK4206G | Silicon N-FET canal | Panasonic |
| 63133 | 2SK4207 | MOSFET de puissance (N-CH 700V | TOSHIBA |
| 63134 | 2SK4208 | Silicon N-channel enhancement MOS FET | Panasonic |
| 63135 | 2SK427 | Applications D'Amplificateur Du Tuner Rf du FET AM De Silicium De Jonction De N-Canal | SANYO |
| 63136 | 2SK429 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63137 | 2SK429 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63138 | 2SK429L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63139 | 2SK429L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63140 | 2SK429S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63141 | 2SK429S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63142 | 2SK430 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63143 | 2SK430 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63144 | 2SK430L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63145 | 2SK430L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63146 | 2SK430S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63147 | 2SK430S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63148 | 2SK433 | 150mW SMD J-FET (transistor à effet de champ), note maximale: -50V Vgdo, 10mA Ig, 0.6to 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
| 63149 | 2SK435 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 63150 | 2SK435 | FET De Jonction De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 63151 | 2SK435 | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 63152 | 2SK436 | Applications D'usage universel À haute fréquence Et De basse fréquence D'Ampère | SANYO |
| 63153 | 2SK439 | FET de MOS De la Manche Du Silicium N | Hitachi Semiconductor |
| 63154 | 2SK439 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Hitachi Semiconductor |
| 63155 | 2SK443 | Applications Du premier étage D'Appareil-photo Visuel | SANYO |
| 63156 | 2SK444 | Applications D'Appareil-photo Visuel de FET De Silicium De Jonction De N-Canal | SANYO |
| 63157 | 2SK445 | Applications D'Étape D'Appareil-photo Visuel de FET De Silicium De Jonction De N-Canal 1ères | SANYO |
| 63158 | 2SK447 | 2SK447 | Unknow |
| 63159 | 2SK447 | 2SK447 | Unknow |
| 63160 | 2SK492 | 150mW SMD J-FET (transistor à effet de champ), note maximale: -50V Vgdo, 10mA Ig, 1 à 12 mA Idss. | Isahaya Electronics Corporation |
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