| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 63201 | 2SK56 | FET De la Jonction 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63202 | 2SK56 | FET De la Jonction 8Ii-N-HANNEL | Unknow |
| 63203 | 2SK560 | FET de MOS De N-Canal De Silicium | Renesas |
| 63204 | 2SK578 | HORS DE LA LIGNE CIRCUIT DE BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63205 | 2SK578 | HORS DE LA LIGNE CIRCUIT DE BQUIVALRN | TOSHIBA |
| 63206 | 2SK579 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63207 | 2SK579 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63208 | 2SK579L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63209 | 2SK579L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63210 | 2SK579S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63211 | 2SK579S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63212 | 2SK58 | Type FET Duel (Utilisation C.C-À-VHF, Bas Bruit) De Jonction De N-Canal De Silicium | SONY |
| 63213 | 2SK58 | Type FET Duel (Utilisation C.C-À-VHF, Bas Bruit) De Jonction De N-Canal De Silicium | SONY |
| 63214 | 2SK580 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63215 | 2SK580 | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63216 | 2SK580L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63217 | 2SK580L | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63218 | 2SK580S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63219 | 2SK580S | COMMUTATION À GRANDE VITESSE DE PUISSANCE | Hitachi Semiconductor |
| 63220 | 2SK583 | Applications Analogues De Commutateur de Transistor MOSFET De Silicium De Perfectionnement De N-Canal | SANYO |
| 63221 | 2SK591 | TRANSISTOR de PUISSANCE d'cEffet de GISEMENT de MOS De N-canal | NEC |
| 63222 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63223 | 2SK595 | 2SK595 | Unknow |
| 63224 | 2SK596 | APPLICATIONS DE MICROPHONE DE CONDENSATEUR | SANYO |
| 63225 | 2SK596 | APPLICATIONS DE MICROPHONE DE CONDENSATEUR | SANYO |
| 63226 | 2SK596A | V (ODG): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; demande de microphone condensateur | SANYO |
| 63227 | 2SK596B | V (ODG): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; demande de microphone condensateur | SANYO |
| 63228 | 2SK596C | V (ODG): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; demande de microphone condensateur | SANYO |
| 63229 | 2SK596D | V (ODG): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; demande de microphone condensateur | SANYO |
| 63230 | 2SK596E | V (ODG): -20V; I (g): 10 mA; 100mW; demande de microphone condensateur | SANYO |
| 63231 | 2SK601 | Dispositif small-signal - FETS small-signal - FETS de MOS | Panasonic |
| 63232 | 2SK606 | Silicium de type N du canal de jonction | Panasonic |
| 63233 | 2SK608 | Silicium de type N du canal de jonction | Panasonic |
| 63234 | 2SK611 | TRANSISTOR DE PUISSANCE D'EFFET DE GISEMENT DE MOS | NEC |
| 63235 | 2SK611 | TRANSISTOR DE PUISSANCE D'EFFET DE GISEMENT DE MOS | NEC |
| 63236 | 2SK612 | Transistors De Puissance D'Effet De Gisement de MOS | Unknow |
| 63237 | 2SK612 | Transistors De Puissance D'Effet De Gisement de MOS | Unknow |
| 63238 | 2SK612 | V (DSS): 100V; 20W; N-canal de puissance de silicium de commutation rapide MOS FET. Pour usage industriel | NEC |
| 63239 | 2SK612-Z | Transistors De Puissance D'Effet De Gisement de MOS | Unknow |
| 63240 | 2SK612-Z | Transistors De Puissance D'Effet De Gisement de MOS | Unknow |
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