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CSB649B construit près: |
20.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: CSB649, CSB649A, CSB649AB, CSB649AC, CSB649C, |
Téléchargement CSB649B datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 142 kb |
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