| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 331401 | CSB649C | 20.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331402 | CSB649D | 20.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331403 | CSB772 | 10.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complémentaire CSD882 | Continental Device India Limited |
| 331404 | CSB772E | 10.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSD882E complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331405 | CSB772P | 10.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSD882P complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331406 | CSB772Q | 10.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSD882Q complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331407 | CSB772R | 10.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSD882R complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331408 | CSB810 | 2.000W moyenne puissance PNP Transistor plastique plomb. 110V VCEO, 8.000A Ic, 1-20000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331409 | CSB817F | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331410 | CSB817F | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331411 | CSB817OF | 90.000W puissance PNP Transistor plastique plomb. 140V VCEO, 12.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331412 | CSB817QF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331413 | CSB817QF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331414 | CSB817YF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331415 | CSB817YF | Transistor En plastique Entièrement D'isolement CDIL De Paquet de TO-3P | Continental Device India Limited |
| 331416 | CSB834 | 30.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-200 hFE. Complémentaire CSD880 | Continental Device India Limited |
| 331417 | CSB834O | 30.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSD880O complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331418 | CSB834Y | 30.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSD880Y complémentaire | Continental Device India Limited |
| 331419 | CSB856 | 25.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 35-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331420 | CSB856A | 25.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 35-70 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331421 | CSB856B | 25.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331422 | CSB856C | 25.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331423 | CSB857 | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331424 | CSB857B | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331425 | CSB857C | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331426 | CSB857D | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331427 | CSB858 | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331428 | CSB858B | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331429 | CSB858C | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331430 | CSB858D | 40.000W basse fréquence PNP Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 331431 | CSBFB1M00J58 | Microcontrôleurs D'un seul morceau De 8 bits | NEC |
| 331432 | CSBFB1M00J58 | Microcontrôleurs D'un seul morceau De 8 bits | NEC |
| 331433 | CSBLA1M | Données techniques de résonateur en céramique | etc |
| 331434 | CSBLA1M | Données techniques de résonateur en céramique | etc |
| 331435 | CSBLA1M00J58 | Microcontrôleurs D'un seul morceau De 8 bits | NEC |
| 331436 | CSBLA1M00J58 | Microcontrôleurs D'un seul morceau De 8 bits | NEC |
| 331437 | CSC | Réseaux de résistance de film épais, simples dans la ligne, SIP enduit, éléments de résistance protégés par l'enduit isogone de Tough Epoxy, disponibles dans le sac ou le paquet de tube | Vishay |
| 331438 | CSC1008 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPN/PNP | Continental Device India Limited |
| 331439 | CSC1008 | TRANSISTORS PLANAIRES ÉPITAXIAUX DE SILICIUM DE NPN/PNP | Continental Device India Limited |
| 331440 | CSC1008G | 0.800W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 0.700A Ic, 200-400 hFE. | Continental Device India Limited |
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