Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
331401 | CSB649AC | 20.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 160V VCEO, 1.500A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
331402 | CSB649B | 20.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
331403 | CSB649C | 20.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
331404 | CSB649D | 20.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
331405 | CSB772 | 10.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complementaria CSD882 | Continental Device India Limited |
331406 | CSB772E | 10.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSD882E Complementaria | Continental Device India Limited |
331407 | CSB772P | 10.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSD882P Complementaria | Continental Device India Limited |
331408 | CSB772Q | 10.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSD882Q Complementaria | Continental Device India Limited |
331409 | CSB772R | 10.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSD882R Complementaria | Continental Device India Limited |
331410 | CSB810 | 2.000W Mediana Potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 110V VCEO, 8.000A Ic, 1.000-20.000 hFE. | Continental Device India Limited |
331411 | CSB817F | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
331412 | CSB817F | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
331413 | CSB817OF | 90.000W de potencia PNP Transistor Plástico con plomo. 140V VCEO, 12.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
331414 | CSB817QF | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
331415 | CSB817QF | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
331416 | CSB817YF | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
331417 | CSB817YF | Transistor Plástico Completamente Aislado CDIL Del Paquete de TO-3P | Continental Device India Limited |
331418 | CSB834 | 30.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-200 hFE. Complementaria CSD880 | Continental Device India Limited |
331419 | CSB834O | 30.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSD880O Complementaria | Continental Device India Limited |
331420 | CSB834Y | 30.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSD880Y Complementaria | Continental Device India Limited |
331421 | CSB856 | 25.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 35-200 hFE. | Continental Device India Limited |
331422 | CSB856A | 25.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 35-70 hFE. | Continental Device India Limited |
331423 | CSB856B | 25.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
331424 | CSB856C | 25.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
331425 | CSB857 | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
331426 | CSB857B | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
331427 | CSB857C | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
331428 | CSB857D | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
331429 | CSB858 | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
331430 | CSB858B | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
331431 | CSB858C | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
331432 | CSB858D | 40.000W de baja frecuencia PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
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