|   Home   |   Tutti i fornitori   |   Dalla funzione   |  

Numero parte, la descrizione o il produttore contenere:    
Salto rapido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 8281 | 8282 | 8283 | 8284 | 8285 | 8286 | 8287 | 8288 | 8289 | 8290 | 8291 | >>
No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
331401CSB649AC20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
331402CSB649B20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
331403CSB649C20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
331404CSB649D20.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
331405CSB77210.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complementare CSD882Continental Device India Limited
331406CSB772E10.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSD882E complementareContinental Device India Limited
331407CSB772P10.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSD882P complementareContinental Device India Limited
331408CSB772Q10.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSD882Q complementareContinental Device India Limited
331409CSB772R10.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSD882R complementareContinental Device India Limited
331410CSB8102.000W media potenza PNP Transistor plastica piombo. 110V Vceo, 8.000A Ic, 1.000-20.000 hFE.Continental Device India Limited
331411CSB817FTransistore Di plastica Completamente Isolato CDIL Del Pacchetto di TO-3PContinental Device India Limited
331412CSB817FTransistore Di plastica Completamente Isolato CDIL Del Pacchetto di TO-3PContinental Device India Limited
331413CSB817OF90.000W Potenza PNP Transistor plastica piombo. 140V Vceo, 12.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
331414CSB817QFTransistore Di plastica Completamente Isolato CDIL Del Pacchetto di TO-3PContinental Device India Limited
331415CSB817QFTransistore Di plastica Completamente Isolato CDIL Del Pacchetto di TO-3PContinental Device India Limited
331416CSB817YFTransistore Di plastica Completamente Isolato CDIL Del Pacchetto di TO-3PContinental Device India Limited
331417CSB817YFTransistore Di plastica Completamente Isolato CDIL Del Pacchetto di TO-3PContinental Device India Limited
331418CSB83430.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-200 hFE. Complementare CSD880Continental Device India Limited



331419CSB834O30.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSD880O complementareContinental Device India Limited
331420CSB834Y30.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSD880Y complementareContinental Device India Limited
331421CSB85625.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 3.000A Ic, 35-200 hFE.Continental Device India Limited
331422CSB856A25.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 3.000A Ic, 35-70 hFE.Continental Device India Limited
331423CSB856B25.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 3.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
331424CSB856C25.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 3.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
331425CSB85740.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 4.000A Ic, 60-320 hFE.Continental Device India Limited
331426CSB857B40.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 4.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
331427CSB857C40.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 4.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
331428CSB857D40.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 50V, 4.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
331429CSB85840.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 4.000A Ic, 60-320 hFE.Continental Device India Limited
331430CSB858B40.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 4.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
331431CSB858C40.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 4.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
331432CSB858D40.000W bassa frequenza PNP Transistor plastica piombo. Vceo 60V, 4.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
331433CSBFB1M00J58Microcontroller Monochip 8-BitNEC
331434CSBFB1M00J58Microcontroller Monochip 8-BitNEC
331435CSBLA1MDati tecnici del risonatore di ceramicaetc
331436CSBLA1MDati tecnici del risonatore di ceramicaetc
331437CSBLA1M00J58Microcontroller Monochip 8-BitNEC
331438CSBLA1M00J58Microcontroller Monochip 8-BitNEC
331439CSCReti del resistore della pellicola spessa, singole nella linea, SIP rivestito, elementi del resistore protetti dal rivestimento conformal del Tough Epoxy, disponibili in sacchetto o nel pacchetto del tuboVishay
331440CSC1008TRANSISTORI PLANARI EPITASSIALI DEL SILICONE DI NPN/PNPContinental Device India Limited
Datasheets ha trovato :: 1351360Pagina: << | 8281 | 8282 | 8283 | 8284 | 8285 | 8286 | 8287 | 8288 | 8289 | 8290 | 8291 | >>
English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versión espańola para esta página Versăo portuguese para esta página Russian version Versiunea romaneasca



© 2024 - www.DatasheetCatalog.com