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| Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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Saut rapide à: 1N 2N 2SA 2SC 74 AD BA BC BD BF BU CXA HCF IRF KA KIA LA LM MC NE ST STK TDA TL UA |
IRF722 construit près: |
MOSFET canal N, 400V, 2.8A D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF721F1, IRF721, IRF722F1, IRF723, IRF720F1, |
Téléchargement IRF722 datasheet de SGS Thomson Microelectronics |
pdf 344 kb |
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Puissance De N-Canal A Transistors MOSFET/3,0/350-400 V D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF322, IRF320-323, IRF321, IRF320, IRF323, |
Téléchargement IRF722 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 170 kb |
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N-canal de TRANSISTORS | Téléchargement IRF722 datasheet de International Rectifier |
pdf 558 kb |
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N-canal du transistor à effet de champ de puissance à mode d'enrichissement. Drain-sourge tension 400V. Courant de drain continue (Tc 25deg) 2.5A. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: IRF720, |
Téléchargement IRF722 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 170 kb |
IRF721F1 | Vue IRF722 à notre catalogue | IRF7220 |