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K4E160812D construit près: |
RAM dynamique de 2M x 8Bit CMOS avec des données prolongées dehors D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E160811D, K4E170812D, K4E170811D, |
Téléchargement K4E160812D datasheet de Samsung Electronic |
pdf 258 kb |
K4E160811D-F | Vue K4E160812D à notre catalogue | K4E160812D-B |