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K4E660412D-JC_L construit près: |
16M x 4 bits RAM dynamique CMOS avec données étendues sur. 3.3V, 8K rafraîchir cycle. D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: K4E640412D-TC_L, K4E660412D-TC_L, K4E640412D-JC_L, |
Téléchargement K4E660412D-JC_L datasheet de Samsung Electronic |
pdf 420 kb |
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