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K4E660412D-JC_L Vorbei Hergestellt: |
16M x 4 Bit CMOS dynamischen RAM mit erweiterten Daten aus. 3.3V, 8K Auffrischzyklus. Andere mit der gleichen Akte für datasheet: K4E640412D-TC_L, K4E660412D-TC_L, K4E640412D-JC_L, |
Download K4E660412D-JC_L datasheet von Samsung Electronic |
pdf 420 kb |
K4E660412D, K4E640412D | Ansicht K4E660412D-JC_L zu unserem Katalog | K4E660412D-TC_L |